[發明專利]一種在SiC微顆粒表面磁控濺射鍍銅膜的方法

無效

• 申請號: 200610015536.6
• 申請日: 2006-08-31
• 公開（公告）號: CN101135045A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發明（設計）人: 沈志剛;俞曉正;徐政;裴小科;范洪濤;李勇
• 申請（專利權）人: 國家納米技術與工程研究院;北京航空航天大學;深圳微納超細材料有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/54
• 代理公司: 國嘉律師事務所
• 代理人: 盧楓

1.一種在SiC微顆粒表面磁控濺射鍍銅膜的方法，其特征在于它包括以下步驟：

(1)備微顆粒磁控濺射鍍膜設備；

(2)打開真空室，把裝入SiC顆粒的樣品皿安裝在樣品臺上；

(3)關閉真空室，打開機械泵抽真空至0.1～10Pa；

(4)打開分子泵抽真空至5.0×10^-4Pa～5.0×10^-3；

(5)打開流量計，向真空室內充惰性氣體至0.2Pa～10Pa；

(6)打開超聲波和樣品架擺動裝置，超聲波振動功率為0w～300w，樣品臺的擺動頻率為0次/分鐘～100次/分鐘；

(7)打開樣品加熱器，加熱溫度范圍：20℃～350℃；

(8)打開磁控濺射靶電源，調節功率至10w～5000w，開始濺射鍍膜；

(9)鍍膜時間范圍為5分鐘～300分鐘，時間到后關閉濺射電源；

(10)按順序關閉流量計、分子泵和機械泵，再打開放針閥緩慢向真空室內放氣，當真空室內壓力與大氣壓力平衡后，打開真空室，取出樣品，鍍膜結束。

2.根據權利要求1所述的一種在SiC微顆粒表面磁控濺射鍍銅膜的方法，其特征在于所述的步驟(2)中的SiC顆粒為微顆粒，平均粒徑約在0.1～500μm的范圍內。

3.根據權利要求1所述的一種在SiC微顆粒表面磁控濺射鍍銅膜的方法，其特征在于濺射靶材是直徑為100mm、厚度為5mm、純度為99.999％的表面平整光潔，內部為無疏松、縮孔的銅金屬材料。

4.根據權利要求1所述的一種在SiC微顆粒表面磁控濺射鍍銅膜的方法，其特征在于所述的步驟(5)中的惰性氣體是氖氣、氬氣、氪氣和氙氣。