[發(fā)明專利]制備網(wǎng)狀納米陣列鐵磁性薄膜的物理氣相沉積方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610012247.0 | 申請日： | 2006-06-14 |
| 公開（公告）號： | CN101089219A | 公開（公告）日： | 2007-12-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 戴瑞烜;陳諾夫;彭長濤;王鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 主分類號： | C23C14/22 | 分類號： | C23C14/22;C23C14/14;C23C14/54 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制備 網(wǎng)狀 納米 陣列 鐵磁性 薄膜 物理 沉積 方法 | ||
1、一種制備網(wǎng)狀納米陣列鐵磁性薄膜的物理氣相沉積方法，其特征在于，包括如下步驟：
1)選擇基底材料，選擇錳金屬和銻金屬為源；
2)將基底材料和錳、銻源材料送入生長爐；
3)抽真空，控制錳源和銻源的溫度和生長時間；
4)退火；
5)完成薄膜的制備工藝。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備網(wǎng)狀納米陣列鐵磁性薄膜的物理氣相沉積方法，其特征在于，其中抽真空至真空度優(yōu)于10-5mbar，控制錳源的溫度在800℃-900℃；控制銻源的溫度在400℃-500℃，生長時間控制在60min-180min。
3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備網(wǎng)狀納米陣列鐵磁性薄膜的物理氣相沉積方法，其特征在于，其中基底選擇的是多孔硅。
4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備網(wǎng)狀納米陣列鐵磁性薄膜的物理氣相沉積方法，其特征在于，其中多孔硅為單晶Si經(jīng)電化學(xué)腐蝕處理得到。
5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備網(wǎng)狀納米陣列鐵磁性薄膜的物理氣相沉積方法，其特征在于，其中的退火是指氮氣保護(hù)下的退火，退火溫度范圍：200℃-400℃，退火時間為20-60min。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
