[發(fā)明專利]一維光子晶體調(diào)制的量子級(jí)聯(lián)激光器管芯結(jié)構(gòu)及制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610012127.0
• 申請(qǐng)日: 2006-06-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101087057A
• 公開(kāi)（公告）日: 2007-12-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邵燁;劉峰奇;劉俊歧;李路
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號(hào): H01S5/00
• 分類號(hào): H01S5/00;H01S5/10;H01S5/343;H01S5/40
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 湯保平

1.一種一維光子晶體調(diào)制的量子級(jí)聯(lián)激光器管芯結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：

1)在磷化銦襯底上采用分子束外延的方法依次生長(zhǎng)下覆蓋層、有源層、上覆蓋層、波導(dǎo)層、接觸層；

2)采用曝光和干法刻蝕技術(shù)，將襯底上生長(zhǎng)的材料兩側(cè)刻蝕，形成斷面為倒T型的脊形結(jié)構(gòu)；同時(shí)在襯底上生長(zhǎng)的材料所形成的脊形結(jié)構(gòu)的一端縱向刻蝕出空氣介質(zhì)與激光器材料介質(zhì)的多個(gè)重復(fù)周期的結(jié)構(gòu)，形成一維光子晶體結(jié)構(gòu)和量子級(jí)聯(lián)激光器諧振腔；

3)在襯底的上表面和襯底上生長(zhǎng)的材料表面及兩側(cè)淀積一層隔離層；

4)采用光刻和化學(xué)腐蝕的方法，在量子級(jí)聯(lián)激光器諧振腔上的隔離層中間形成一電流注入窗口；

5)在管芯結(jié)構(gòu)的上表面生長(zhǎng)上歐姆接觸層，該上歐姆接觸層覆蓋電流注入窗口；

6)采用化學(xué)方法將一維光子晶體結(jié)構(gòu)的上歐姆接觸層腐蝕掉；

7)將襯底減薄；

8)在襯底的背面生長(zhǎng)下歐姆接觸層；

9)解理，完成管芯的制作；

其中量子級(jí)聯(lián)激光器諧振腔的斷面結(jié)構(gòu)包括：一下覆蓋層，該下覆蓋層生長(zhǎng)在襯底上；一有源層，該有源層生長(zhǎng)在下覆蓋層上；一上覆蓋層，該上覆蓋層生長(zhǎng)在有源層上；一波導(dǎo)層，該波導(dǎo)層生長(zhǎng)在上覆蓋層上；一接觸層，該接觸層生長(zhǎng)在波導(dǎo)層上；一隔離層，該隔離層淀積在接觸層上和襯底上，并且覆蓋了下覆蓋層、有源層、上覆蓋層、波導(dǎo)層、接觸層的兩側(cè)側(cè)面；該隔離層的中間縱向開(kāi)有一電流注入窗口；一上歐姆接觸層，該上歐姆接觸層蒸鍍?cè)诟綦x層上，并覆蓋住電流注入窗口；

一維光子晶體結(jié)構(gòu)的斷面結(jié)構(gòu)包括：一下覆蓋層，該下覆蓋層生長(zhǎng)在襯底上；一有源層，該有源層生長(zhǎng)在下覆蓋層上；一上覆蓋層，該上覆蓋層生長(zhǎng)在有源層上；一波導(dǎo)層，該波導(dǎo)層生長(zhǎng)在上覆蓋層上；一接觸層，該接觸層生長(zhǎng)在波導(dǎo)層上；一隔離層，該隔離層淀積在接觸層上和襯底上，并且覆蓋了下覆蓋層、有源層、上覆蓋層、波導(dǎo)層、接觸層的兩側(cè)側(cè)面。