[發明專利]硅(102)襯底上生長的非極性A面氮化物薄膜及其制法和用途無效
| 申請號： | 200610011295.8 | 申請日： | 2006-01-27 |
| 公開（公告）號： | CN101009347A | 公開（公告）日： | 2007-08-01 |
| 發明（設計）人： | 陳弘;賈海強;周均銘;郭麗偉 | 申請（專利權）人： | 中國科學院物理研究所 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L31/0248;H01L31/18;H01L21/3205;H01L21/20;H01S5/00;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100080北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 102 襯底 生長 極性 氮化物 薄膜 及其 制法 用途 | ||
【說明書】：
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