[發明專利]制備用于變阻器的包含金屬氧化物的半導體陶瓷的方法有效
| 申請號： | 200610006918.2 | 申請日： | 2006-01-24 |
| 公開（公告）號： | CN1870185A | 公開（公告）日： | 2006-11-29 |
| 發明（設計）人： | 邁赫達德·哈桑扎德;塞利娜·馬查多－巴伊;雷諾·梅斯;拉蒙·普亞內 | 申請（專利權）人： | 阿海琺T&D有限公司 |
| 主分類號： | H01C7/108 | 分類號： | H01C7/108;H01C8/04;H01B1/08;C01G1/02;C04B35/01;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 法國;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制備 用于 變阻器 包含 金屬 氧化物 半導體 陶瓷 方法 | ||
【說明書】：
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