[發明專利]超寬頻帶信號發生器有效
| 申請號: | 200610003310.4 | 申請日: | 2006-02-05 |
| 公開(公告)號: | CN101106354A | 公開(公告)日: | 2008-01-16 |
| 發明(設計)人: | 拉扎西·馬可帕帝;西勃汀·納提克;樸倫緒;尹庠雄;寓相炫;姜賢一;李彰浩;卓依·拉斯基 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社;佐治亞科技研究公司 |
| 主分類號: | H03B1/04 | 分類號: | H03B1/04 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 | 代理人: | 韓明星;李云霞 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 寬頻 信號發生器 | ||
1.一種超寬頻帶信號發生器,包括:
可調有源感應器,用于產生具有在非線性操作范圍內彼此基本相同的功率強度的諧波信號,該可調有源感應器能對其值進行調諧;
振蕩器,用于通過將從可調有源感應器產生的諧波信號頻率轉變成高頻帶來放大所述諧波信號并將其輸出;和
濾波器,用于選擇性地輸出從振蕩器輸出的諧波信號之一。
2.如權利要求1所述的超寬頻帶信號發生器,其中,所述可調有源感應器包括:
第一晶體管,具有連接到電壓源的源極和連接到第一偏置電壓的柵極;
第二晶體管,具有連接到第一晶體管的漏極的漏極和連接到第二偏置電壓的柵極;
第三晶體管,具有連接到第二晶體管的源極的漏極和連接到地的源極;
第四晶體管,具有連接到第三晶體管的柵極的漏極、連接到地的源極和連接到第三偏置電壓的柵極;
第五晶體管,具有連接到第四晶體管的漏極的源極和連接到電壓源的漏極;和
第一可調阻抗,置于第一晶體管的漏極和第五晶體管的柵極之間。
3.如權利要求2所述的超寬頻帶信號發生器,其中,所述第一可調阻抗包括:
第一電阻器,置于第一晶體管的漏極和第五晶體管的柵極之間;和
第六晶體管,具有連接到第一晶體管的漏極的漏極、連接到第五晶體管的柵極的源極和連接到第四偏置電壓的柵極。
4.如權利要求1所述的超寬頻帶信號發生器,其中,所述振蕩器包括:
第七晶體管,具有連接到可調有源感應器的基極;
第一電容器,置于可調有源感應器和第七晶體管之間;
第三電阻器,置于第五偏置電壓和第七晶體管的基極之間;
第二電容器,置于第七晶體管的基極和第七晶體管的發射極之間;
第三電容器,置于地和第二電容器之間;
第一電流源,置于第七晶體管的發射極和地之間;
第一感應器,置于電壓源和第七晶體管的集電極之間;和
第四電容器,置于第七晶體管的集電極和輸出端之間。
5.如權利要求4所述的超寬頻帶信號發生器,其中,所述濾波器通過使用第一感應器和置于第七晶體管的集電極和地之間的第一可變電容器執行濾波。
6.如權利要求1所述的超寬頻帶信號發生器,其中,所述振蕩器包括:
第八晶體管,具有置于可調有源感應器和第六偏置電壓之間的基極;
第五電容器,置于可調有源感應器和第八晶體管之間;
第二可變電容器,置于第八晶體管的基極和第八晶體管的發射極之間;
第三可變電容器,置于第二可變電容器和地之間;
第四電阻器,置于第八晶體管的發射極和地之間;
第二感應器,置于電壓源和第八晶體管的集電極之間;和
第六電容器,置于第八晶體管的集電極和輸出端之間。
7.如權利要求6所述的超寬頻帶信號發生器,其中,所述濾波器通過使用第二感應器和置于第八晶體管的集電極和地之間的第四可變電容器執行濾波。
8.一種超寬頻帶信號發生器,包括:
可調有源感應器,用于產生具有在非線性操作范圍內彼此基本相同的功率強度的諧波信號,該可調有源感應器能對其值進行調諧;
第一晶體管,具有連接到可調有源感應器的基極;
第一電阻器,置于第一偏置電壓和第一晶體管的基極之間;
第一電容器,置于第一晶體管的基極和發射極之間;
第二電容器,置于第一電容器和地之間;
第一電流源,置于第一晶體管的發射極和地之間;
第一感應器,置于電壓源和第一晶體管的集電極之間;
第三電容器,置于第一晶體管的集電極和輸出端之間;和
第一可變電容器,置于第一晶體管的集電極和地之間。
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