[發(fā)明專利]具有超薄碳化硅中間層的硅基可協(xié)變襯底及制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610003071.2 | 申請日： | 2006-02-08 |
| 公開（公告）號： | CN101017864A | 公開（公告）日： | 2007-08-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊少延;楊霏;李成明;范海波;陳涌海;劉志凱;王占國 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L31/0248;H01L31/18;H01L29/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 超薄 碳化硅 中間層 硅基可協(xié)變 襯底 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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