[發明專利]用于193nm光學光刻的側墻鉻衰減型移相掩模制作方法無效
| 申請號： | 200610003068.0 | 申請日： | 2006-02-08 |
| 公開（公告）號： | CN101017322A | 公開（公告）日： | 2007-08-15 |
| 發明（設計）人： | 謝常青;劉明 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | G03F1/08 | 分類號： | G03F1/08;G03F7/20;G03F7/30;G03F7/36 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 段成云 |
| 地址： | 100029*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 193 nm 光學 光刻 側墻鉻 衰減 型移相掩模 制作方法 | ||
【說明書】：
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G03 攝影術；電影術；利用了光波以外其他波的類似技術；電記錄術；全息攝影術
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
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