[發明專利]氮化鎵系半導體的成長方法有效
| 申請號： | 200610001595.8 | 申請日： | 2006-01-24 |
| 公開（公告）號： | CN101009339A | 公開（公告）日： | 2007-08-01 |
| 發明（設計）人： | 陳政權;陳銘章;洪昆明 | 申請（專利權）人： | 新世紀光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京邦信陽專利商標代理有限公司 | 代理人： | 王昭林;崔華 |
| 地址： | 中國臺灣臺南縣善化*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化 半導體 成長 方法 | ||
【說明書】：
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