[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200610001285.6 | 申請(qǐng)日： | 2006-01-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN1933175A | 公開（公告）日： | 2007-03-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 阿希馬·B·查克拉瓦蒂;安東尼·艾·喬;古川俊治;史蒂文·J·霍姆斯;韋斯利·C·納特茲萊 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 國際商業(yè)機(jī)器公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/00 | 分類號(hào)： | H01L29/00;H01L21/205;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 | 代理人： | 王茂華 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
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