[發明專利]太陽能電池用的硅片處理方法

無效

• 申請號: 200580052230.1
• 申請日: 2005-11-07
• 公開（公告）號: CN101326628A
• 公開（公告）日: 2008-12-17
• 發明（設計）人: 袁建中
• 申請（專利權）人: 袁建中
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/304
• 代理公司: 上海開祺知識產權代理有限公司
• 代理人: 李蘭英

技術領域

本發明涉及一種硅片的處理方法，特別是涉及一種太陽能電池用的硅片的處理方法。

背景技術

太陽能電池所用的硅片是利用切割機將硅體或單晶硅棒體切割而成。比如單晶硅片是利用線切割機將單晶硅棒體進行切割成片。對于一塊同樣大小的硅體或單晶硅棒體切成硅片的厚度越薄，則切割成硅片的數量就越多。也就是硅片的產量越高。但是，硅材質的易碎性使得切割成的硅片極易碎裂。更何況從切割機切割下來的硅片要經過清洗、甩干、腐蝕、再清洗、再甩干后才能做為太陽能電池在擴散(形成P-N結，正負電極)工序之前所需要處理后的硅片。

在先技術中，對于硅片的處理方法是：當切割機對于硅體或單晶硅棒體完成切片后，為了使每片硅片的全部表面都能完全得到處理。將其硅片從切割機上取下后，一片一片地裝入一個清洗的間隔架上。使得片與片之間有一個間隔，然后進行清洗、甩干后，進行檢測，檢測后再一片一片地從間隔架上取出裝入包裝盒內待用。

上面對硅片的處理通常是由硅片的生產商來做。生產太陽能電池的廠家從生產商那里買來硅片后將硅片從包裝盒內一片一片的取出裝入一個耐腐蝕的間隔架上(通常是塑料間隔架)，對硅片進行腐蝕處理，腐蝕后清洗，再甩干，然后進行換架，將間隔架換成能夠耐高溫的間隔架，以便進行下一道的擴散工序。

上述硅片的處理過程中，將硅片三次裝入間隔架，一次裝入包裝盒，每次都是用人工一片一片地取出，然后再一片一片地裝入。這對于小于0.5mm厚度的易碎的硅片來說，破碎率和損壞邊角率都是相當大的。而且為了避免取出裝入時破碎率太高，硅片的厚度也不能切得太薄。所以，上述在先技術中處理硅片的方法存在著：一是破碎率和損壞邊角率高；二是硅片的厚度不能切割得太薄。由于這二個原因，大大降低了硅片生產的成品率和產值。而且人工取片和裝片既費時費力，又提高了硅片的制造成本。

發明內容

本發明的目的是為了克服上述在先技術中對硅片處理方法的缺陷，提供一種免去幾次用人工一片一片地裝入和取出間隔架過程的太陽能電池用的硅片處理方法。

本發明的處理方法為了達到上述的目的，所采取的技術方案是：自切割機將硅體切割硅片的同時，初步固定住硅片與硅片之間的相對間隔；切割結束，采用夾片夾夾住保持相對間隔位置的全部硅片；將夾住全部硅片的夾片夾的整體從切割機上取下，進行清洗、腐蝕、再清洗或者換夾的全部處理過程。也就是說，在硅片的全部處理過程中，始終保持硅片之間在切割機上就已形成的相對間隔位置，直到硅片處理結束，符合進行下一道擴散工序所要求的硅片為止。

本發明上述的硅片處理方法，與在先技術相比，具有顯著的進步。

●本發明的硅片處理方法是自硅片從切割機上取下直到全部的處理過程中，始終保持著硅片與硅片之間在切割機上就已形成的相互之間的間距。利用這個間距既能保證對于每個硅片的全部表面的處理，又免去了在先技術中，幾次一片一片的取出和裝入間隔架的過程。顯然，大大地降低了硅片的破碎率和邊角損壞率；

●本發明的硅片處理方法因為切割成的硅片是隨著夾片夾整體從切割機上取下，而不是如在先技術中一片一片的取下。同時也免去了用人工幾次一片一片的取出和裝入間隔架的過程。這就大大地節省了人力，提高了生產效率，降低了生產成本；

●本發明的硅片處理方法，因為在全部處理過程中無需將硅片一片一片地取出和裝入，所以硅片也無需要求非要有一定的厚度。眾所周知，硅片的產量與硅片的厚度成反比。對于同等量的材料和相同的時間內硅片的厚度越薄，其產量就越高。比如，上述在先技術的硅片處理方法要求其硅片的厚度最薄是0.26mm；也有0.20mm的，但其破碎率很高。用本發明的硅片處理方法，硅片的厚度可以為0.13mm，甚至低于0.1mm。如果按0.26mm厚的硅片每月能生產100萬片算，則用同等數量的材料每月可生產0.13mm厚度的硅片為138萬片，生產低于0.10mm厚度的硅片為260多萬片。顯然，使用本發明的硅片處理方法將大幅度地提高生產率和產值；

●本發明的硅片處理方法比在先技術的處理方法縮短了處理過程。因為在本發明的硅片處理過程中，始終保持著硅片與硅片在切割機上就已形成的相互間距。在全部的處理過程中，不須要一片一片地分開進行取出和裝入的過程。甚至在最后為了能夠適合下一步擴散工序上的耐高溫的要求，更換夾片夾，也是保持全部硅片之間的相對間隔位置一起換夾。因而大大縮短了處理過程、提高了工作效率。

●本發明的硅片處理方法在切割的同時，在切割機上就初步固定了硅片之間的相對間隔位置，這就有利地記錄下每片硅片在硅體(或單晶硅棒體)上所處的位置，有利于選擇從硅體上不同位置上所切割下的硅片。