[發(fā)明專利]制備納米多孔二氧化硅的裝置及其方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200580052103.1
• 申請日: 2005-12-02
• 公開（公告）號: CN101312908A
• 公開（公告）日: 2008-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梁慶周;金鎮(zhèn)洙;金鍾吉;申桐喜
• 申請（專利權(quán)）人: E&B納米技術(shù)株式會社
• 主分類號: C01B33/18
• 分類號: C01B33/18
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 王達佐;韓克飛

1.用于生產(chǎn)無定形納米多孔二氧化硅的裝置，其包括：

由硅酸鹽定量進料器、無機酸定量進料器、控制硅酸鹽和無機酸當(dāng)量比的定量泵和控制由所述定量泵產(chǎn)生的波動的防波動氣室組成的源材料進料器；

與所述源材料進料器連接并裝有產(chǎn)生所述硅酸鹽和所述無機酸的渦流的噴嘴的高速瞬時反應(yīng)器；和

與所述高速瞬時反應(yīng)器連接并由最大攪拌速率為100rpm至20000rpm的高速攪拌反應(yīng)池、在10rpm至100rpm下提供攪拌的低速攪拌反應(yīng)池以及為高速攪拌反應(yīng)池和低速攪拌反應(yīng)池提供連續(xù)循環(huán)的循環(huán)泵組成的連續(xù)循環(huán)聚合釜。

2.權(quán)利要求1所述的裝置，其還包括與所述低速攪拌反應(yīng)池的底部相連接并使所述納米多孔二氧化硅循環(huán)或?qū)⑺黾{米多孔二氧化硅放空的三通閥，所述納米多孔二氧化硅的物理性質(zhì)由所述低速攪拌反應(yīng)池控制。

3.生產(chǎn)無定形納米多孔二氧化硅的方法，其包括：

在控制與源材料加入相關(guān)的波動的同時使用定量進料器加入源材料的源材料加入步驟，所述源材料即硅酸鹽和無機酸；

使用噴嘴產(chǎn)生所提供的硅酸鹽和無機酸的渦流的高速瞬時反應(yīng)步驟；和

在100rpm至20000rpm的高速下攪拌所得到的二氧化硅，并在10rpm至100rpm的低速下攪拌所得到的納米多孔二氧化硅，以便控制物理性質(zhì)的連續(xù)循環(huán)聚合步驟。

4.權(quán)利要求3所述的方法，其中所述硅酸鹽選自硅酸鈉、硅酸鉀、硅酸鋰、硅酸銣和硅酸銫。

5.權(quán)利要求3所述的方法，其中所述無機酸選自硫酸、鹽酸、磷酸、乙酸、高氯酸、氯酸、亞氯酸、次氯酸、檸檬酸和硝酸。