[發明專利]跨導級裝置

有效

• 申請號: 200580051886.1
• 申請日: 2006-10-20
• 公開（公告）號: CN101297477A
• 公開（公告）日: 2008-10-29
• 發明（設計）人: 包明泉;李應剛
• 申請（專利權）人: 艾利森電話股份有限公司
• 主分類號: H03F1/32
• 分類號: H03F1/32;H03D7/14;H03F3/45;H03H11/32
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 王岳;陳景峻

1.一種電壓-電流跨導級裝置，其包含單端輸入端、發射極耦合晶體管(1，2)對、第三晶體管的發射極以及差動輸出端，其中該發射極耦合晶體管對包括第一晶體管(1)和第二晶體管(2)，該第三晶體管的發射極連接到所述第一晶體管(1)的集電極，其特征在于：

所述裝置還包括共集電極晶體管，該共集電極晶體管包括第四晶體管(4)，該第四晶體管連接到所述第二晶體管(2)的基極，其中，所述第四晶體管(4)的尺寸大于所述第二和第三晶體管的尺寸。

2.根據權利要求1所述的跨導級裝置，其特征在于：

第四晶體管(4)還被連接到第三晶體管(3)的發射極。

3.根據權利要求1所述的跨導級裝置，其特征在于：

第四晶體管(4)還被連接到第一晶體管(1)的集電極。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的跨導級裝置，其特征在于：

第五晶體管(5)連接到所述第三晶體管(3)的基極。

5.根據權利要求4所述的跨導級裝置，其特征在于：

所述第四(4)或第四和第五(5)晶體管的發射極尺寸分別大于所述第二和第三晶體管(2，3)的發射極尺寸。

6.根據權利要求5所述的跨導級裝置，其特征在于：所述第四或第四和第五晶體管(4，5)的發射極尺寸分別約為或達到N×第二和/或第三晶體管(2，3)的發射極尺寸，N≈10。

7.根據權利要求5所述的跨導級裝置，其特征在于：

所述第四(4)或第四和第五晶體管(4，5)的發射極尺寸分別大于N×所述第二和/或第三晶體管(2，3)的發射極尺寸，N＞10。

8.根據權利要求4所述的跨導級裝置，其特征在于：

所述第四(4)或第四和第五晶體管(4，5)的集電極電流分別是所述第二和第三晶體管(2，3)的基極偏置電流。

9.根據權利要求8所述的跨導級裝置，其特征在于：

所述第四(4)或第四和第五晶體管(4，5)的集電極電流適于被偏置在各個晶體管的斷開狀態使得它們非常小。

10.根據權利要求7或8所述的跨導級裝置，其特征在于：

提供第二偏置裝置(5)來偏壓所述第四(4)和/或第五晶體管(4，5)的集電極電流，使得形成所述第二和第三晶體管的基極偏置電流的所述集電極電流非常小。

11.根據權利要求4所述的跨導級裝置，其特征在于：

當輸入功率增加時，所述第四(4)或第四和第五晶體管(4，5)的基極-發射極電壓分別適于迅速下降，以至于相應的所述第二和第三晶體管(2，3)的基極-發射極電壓的直流電壓分量會增加，這樣，即使在大的射頻輸入功率的情況下都可以提供好的線性度。

12.根據權利要求4所述的跨導級裝置，其特征在于：

所述第四(4)或第四和第五晶體管(4，5)用于將所述第一和/或第二和/或第三晶體管(1，2，3)的輸入阻抗增加到期望的水平。

13.根據權利要求12所述的跨導級裝置，其特征在于：

電阻(6，7，8)或是電感被提供在或者是被連接到所述第一和/或第二和/或第三晶體管(1，2，3)的發射極以進一步增加所述晶體管的輸入阻抗。

14.根據權利要求1至3中任一項所述的跨導級裝置，其特征在于：

負載電感(5)被配置來給第四晶體管(4)的集電極加載。

15.根據權利要求13所述的跨導級裝置，其特征在于：

第四晶體管(4)包含基極-集電極結電容，其中，所述電容和負載電感(4)形成可調諧的串聯共振器。

16.根據權利要求15所述的跨導級裝置，其特征在于：

輸入信號的頻率為ω₀并且可調諧的串聯共振器適于被調諧使得共振發生在兩倍的輸入頻率，即2ω₀，以至于輸入信號的二次諧波將會在輸入端短接至地。

17.根據權利要求1至3中任一項所述的跨導級裝置，其特征在于：

第一、第二、第三以及第四晶體管(1，2，3，4，5)是雙極晶體管。