[發(fā)明專利]可控氣氛的接合裝置、接合方法及電子裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200580051725.2
• 申請日: 2005-09-28
• 公開（公告）號: CN101273445A
• 公開（公告）日: 2008-09-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 大見忠弘;森本明大
• 申請（專利權(quán)）人: 大見忠弘
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H05K3/32
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 李貴亮

1.一種接合裝置，其將接合金屬端子和被接合金屬端子壓接并進行電接合，其特征在于，

使壓接部氣氛的水分濃度比裝置外部氣氛的水分濃度小。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合裝置，其特征在于，

壓接部的接合金屬端子表面及被接合金屬端子表面的吸附水分量為1×10¹⁶分子/cm²以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合裝置，其特征在于，

壓接部的接合金屬端子表面及被接合金屬端子表面的吸附有機物量按照廿烷重量換算為5×10¹³分子/cm²以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合裝置，其特征在于，

使壓接部氣氛的水分濃度為10體積ppm以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合裝置，其特征在于，

使壓接部氣氛的氧濃度為10體積ppm以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合裝置，其特征在于，

至少在壓接部流通惰性氣體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合裝置，其特征在于，

至少在壓接部流通除水分以外的雜質(zhì)濃度為100體積ppm以下、水分濃度為10體積ppm以下、氧濃度為10體積ppm以下的高純度惰性氣體。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的接合裝置，其特征在于，

所述惰性氣體中的水分濃度為1體積ppm以下。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合裝置，其特征在于，

該接合裝置具有從裝置外部供給惰性氣體的供給口，該供給口的所述惰性氣體的水分含量為10體積ppm以下。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合裝置，其特征在于，

所述接合裝置內(nèi)表面的吸附水分量為1×10¹⁶分子/cm²以下。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合裝置，其特征在于，

所述裝置內(nèi)表面為電解研磨不銹鋼表面、電解復(fù)合研磨不銹鋼表面、以氧化鉻為主成分的電解研磨或電解復(fù)合研磨表面、以氧化鋁為主成分的電解研磨或電解復(fù)合研磨表面、聚烯烴類樹脂表面、聚環(huán)烯烴類樹脂表面、氟類樹脂表面的任意一種。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合裝置，其特征在于，

具有將所述接合金屬端子表面及所述被接合金屬端子表面的吸附水分減少到1×10¹⁶分子/cm²以下的機構(gòu)。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合裝置，其特征在于，

具有將壓接部的接合金屬端子表面及被接合金屬端子表面的吸附有機物減少到5×10¹³分子/cm²以下的機構(gòu)。

14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的接合裝置，其特征在于，

所述惰性氣體包括氮、氦、氖、氬、氪及氙中的至少一種。

15.根據(jù)權(quán)利要求6所述的接合裝置，其特征在于，

在所述惰性氣體中添加氫。

16.根據(jù)權(quán)利要求1～15中任意一項所述的接合裝置，其特征在于，

具備將在所述接合金屬端子、所述被接合金屬端子及所述壓接部的周圍中的至少一個上產(chǎn)生的靜電中和或去除的機構(gòu)。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的接合裝置，其特征在于，

所述中和或去除機構(gòu)包括軟X射線產(chǎn)生機構(gòu)。

18.一種接合方法，將接合金屬端子和被接合金屬端子壓接并進行電接合，其特征在于，

使壓接部氣氛的水分濃度比裝置外部氣氛的水分濃度小。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的接合方法，其特征在于，

使壓接部的接合金屬端子表面及被接合金屬端子表面的吸附水分量為1×10¹⁶分子/cm²以下來進行壓接。

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的接合方法，其特征在于，

使壓接部的接合金屬端子表面及被接合金屬端子表面的吸附有機物量為5×10¹³分子/cm²以下來進行壓接。