[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200580051451.7
• 申請(qǐng)日: 2005-09-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101253621A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 中村亙
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 富士通株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/8246
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/8246;H01L27/105
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 張龍哺

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：

在半導(dǎo)體襯底上形成絕緣膜的工序；

在上述絕緣膜上形成第一導(dǎo)電膜的工序；

在上述第一導(dǎo)電膜上形成取向?yàn)?111)方向的鋁結(jié)晶層的工序；

在上述鋁結(jié)晶層上形成含有Pb(Zr_xTi_1-x)O₃的鐵電膜的工序，其中，0≤x≤1；

在上述鐵電膜上形成第二導(dǎo)電膜的工序；

通過(guò)對(duì)上述第一導(dǎo)電膜、上述鐵電膜及上述第二導(dǎo)電膜進(jìn)行圖案成形，形成電容器的工序，其中，所述電容器是依次層疊下部電極、電容器電介質(zhì)膜及上部電極而成的。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在形成上述鋁結(jié)晶層的工序中，將該鋁結(jié)晶層形成為點(diǎn)陣狀。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在形成上述鋁結(jié)晶層的工序中，將該鋁結(jié)晶層形成為5nm以下的厚度。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在形成上述鐵電膜的工序中，通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法形成該鐵電膜。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在形成上述第一導(dǎo)電膜的工序中，形成銥?zāi)ざ鳛樵摰谝粚?dǎo)電膜。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在形成上述鐵電膜的工序中，形成使上述Pb(Zr_xTi_1-x)O₃含有鍶、鈣、鑭及鈮中的至少一種而成的膜而作為上述鐵電膜。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在形成上述鐵電膜的工序中，形成第一鐵電膜和第二鐵電膜的疊層膜而作為上述鐵電膜，其中，所述第一鐵電膜由上述Pb(Zr_xTi_1-x)O₃構(gòu)成，所述第二鐵電膜是使Pb(Zr_xTi_1-x)O₃含有鍶、鈣、鑭及鈮中的至少一種而成的膜。

8.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：

在半導(dǎo)體襯底上形成絕緣膜的工序；

在上述絕緣膜上形成第一導(dǎo)電膜的工序；

對(duì)上述第一導(dǎo)電膜進(jìn)行圖案成形，由此形成下部電極的工序；

在上述下部電極的側(cè)面和上表面形成取向?yàn)?111)方向的鋁結(jié)晶層的工序；

在上述鋁結(jié)晶層上和上述絕緣膜上，形成含有Pb(Zr_xTi_1-x)O₃的鐵電膜的工序，其中，0≤x≤1；

在上述鐵電膜上形成第二導(dǎo)電膜的工序；

對(duì)上述鐵電膜進(jìn)行圖案成形，以使其留在上述下部電極的側(cè)面和上表面而作為電容器電介質(zhì)膜的工序；

對(duì)上述第二導(dǎo)電膜進(jìn)行圖案成形，以使其留在上述下部電極的上方和側(cè)方而作為上部電極，從而由該上部電極、上述電容器電介質(zhì)膜及上述下部電極構(gòu)成電容器的工序。

9.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具有：

半導(dǎo)體襯底；

絕緣膜，其形成在上述半導(dǎo)體襯底上；

電容器，其形成在上述絕緣膜上，而且依次層疊下部電極、電容器電介質(zhì)膜以及上部電極而成，其中，上述電容器電介質(zhì)膜含有Pb(Zr_xTi_1-x)O₃和鋁，0≤x≤1。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述下部電極由銥構(gòu)成。