[發(fā)明專利]射頻標(biāo)簽和制造射頻標(biāo)簽的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200580051212.1 | 申請(qǐng)日: | 2005-07-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101228664A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-07-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 山雅城尚志;馬庭透;甲斐學(xué) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 富士通株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01Q9/16 | 分類號(hào): | H01Q9/16;H01Q1/38;G06K19/077 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 黃綸偉 |
| 地址: | 日本神*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 射頻 標(biāo)簽 制造 方法 | ||
1.一種射頻標(biāo)簽,該射頻標(biāo)簽具有與天線連接的集成電路,其特征在于,
上述天線具有:
第1發(fā)射元件;
第2發(fā)射元件;
串聯(lián)連接在第1發(fā)射元件和第2發(fā)射元件之間的供電部;以及
與供電部并聯(lián)連接的阻抗調(diào)節(jié)部,
與第1發(fā)射元件和第2發(fā)射元件的雙方或者一方連接的輔助性發(fā)射元件用于在該射頻標(biāo)簽完成前同上述集成電路進(jìn)行無(wú)線通信,而不用于該射頻標(biāo)簽完成后的無(wú)線通信。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻標(biāo)簽,其特征在于,完成后的該射頻標(biāo)簽與導(dǎo)電性對(duì)象物相伴。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻標(biāo)簽,其特征在于,該射頻標(biāo)簽完成后的天線具有比用于通信的波長(zhǎng)的一半短的長(zhǎng)度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻標(biāo)簽,其特征在于,第1發(fā)射元件和第2發(fā)射元件分別通過(guò)帶狀延伸的導(dǎo)電體形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的射頻標(biāo)簽,其特征在于,在沿著帶狀導(dǎo)電體的一邊延伸的線路上連接有上述供電部。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的射頻標(biāo)簽,其特征在于,沿著一個(gè)帶狀導(dǎo)電體的延伸方向的該導(dǎo)電體的兩條邊分別與另一個(gè)導(dǎo)電體的兩條邊直線對(duì)準(zhǔn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻標(biāo)簽,其特征在于,上述阻抗調(diào)節(jié)部由彎曲的導(dǎo)電性線路形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻標(biāo)簽,其特征在于,支撐上述天線的絕緣層具有多層結(jié)構(gòu),該多層結(jié)構(gòu)至少包含聚對(duì)苯二甲酸乙二酯層和襯墊層。
9.一種制造射頻標(biāo)簽的方法,該射頻標(biāo)簽具有與天線連接的集成電路,且與導(dǎo)電性對(duì)象物相伴,其特征在于,上述制造射頻標(biāo)簽的方法包括如下步驟:
在第1絕緣層的一個(gè)面上形成規(guī)定形狀的天線的第1步驟;
將上述規(guī)定形狀的天線變更為其他形狀的第2步驟;以及
在上述第1絕緣層的另一個(gè)面上接合第2絕緣層的第3步驟,
上述規(guī)定形狀的天線形成為具有第1發(fā)射元件、第2發(fā)射元件、與第1發(fā)射元件和第2發(fā)射元件的雙方或者一方連接的輔助性發(fā)射元件、以及串聯(lián)連接在第1發(fā)射元件和第2發(fā)射元件之間的供電部。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,在上述第1步驟之后使用上述第1發(fā)射元件、第2發(fā)射元件和輔助性發(fā)射元件進(jìn)行無(wú)線通信,
在上述第2步驟中去除上述輔助性發(fā)射元件的至少一部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,上述輔助性發(fā)射元件形成為包含沿著天線長(zhǎng)度方向的線路。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其特征在于,上述輔助性發(fā)射元件形成為回形形狀。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,通過(guò)上述無(wú)線通信確定的信息附著在上述第1絕緣層或第2絕緣層上。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,表示1個(gè)以上場(chǎng)所的標(biāo)記附著在上述第1絕緣層或第2絕緣層上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其特征在于,按照對(duì)應(yīng)于上述第2絕緣層的厚度的標(biāo)記,去除上述輔助性發(fā)射元件的至少一部分。
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