[發明專利]硅單晶提拉裝置及其方法

無效

• 申請號: 200580051163.1
• 申請日: 2005-07-27
• 公開（公告）號: CN101228299A
• 公開（公告）日: 2008-07-23
• 發明（設計）人: 符森林;小野直樹
• 申請（專利權）人: 勝高股份有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B30/04
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 孫秀武;李平英

1.一種硅單晶提拉裝置，構成如下：使設置在爐室內的存留有硅熔融液的石英坩堝以規定的旋轉速度旋轉，并使從上述硅熔融液提拉的硅單晶棒以規定的旋轉速度旋轉，沿垂直方向隔開規定的間隔T配設分別以上述坩堝的旋轉軸為線圈中心的第1線圈及第2線圈，分別對上述第1及第2線圈通以同向的電流，由此使上述第1和第2線圈之間產生磁場，從而提拉上述單晶棒，

其特征在于上述第1線圈設置在上述爐室外，上述第2線圈設置在上述爐室內。

2.權利要求1所述的硅單晶提拉裝置，其中，第1線圈與第2線圈的垂直方向的間隔T為超過0并且在10000mm以下，上述第1線圈的直徑D₁為100mm以上10000mm以下，上述第2線圈的直徑D₂為5mm以上5000mm以下，上述第1線圈的直徑D₁與上述第2線圈的直徑D₂之比為1以上2000以下，并且在將爐室外周的壁厚設為t時，從上述第1線圈的直徑D₁減去第2線圈的直徑D₂的差值在2t以上。

3.一種硅單晶提拉方法，其特征在于：使設置在爐室內的存留有硅熔融液的石英坩堝以規定的旋轉速度旋轉，并使從上述硅熔融液提拉的硅單晶棒以規定的旋轉速度旋轉，在上述爐室外，以上述石英坩堝的旋轉軸為線圈中心設置具有比上述爐室外徑更大線圈直徑的的第1線圈，在上述爐室內，沿著和上述第1線圈垂直的方向隔開規定的間隔T，設置以上述石英坩堝的旋轉軸為線圈中心的第2線圈，分別對上述第1以及第2線圈通以同向的電流，由此使上述第1和第2線圈之間產生磁場，從而提拉上述單晶棒，

其特征在于將第1和第2線圈的規定間隔T的中間位置與上述硅熔融液的表面之間的距離設為H時，控制中間位置在硅熔融液的表面或其下方以使滿足0mm≤|H|≤10000mm。

4.權利要求3所述的硅單晶提拉方法，其中，當第1線圈中通過的電流設為I₁，第2線圈中通過的電流設為I₂時，給第1線圈和第2線圈通入I₁和I₂在0.1～10³⁰A的范圍、并且滿足0.001≤(I₁/I₂)≤1000的電流，控制中間位置和石英坩堝的內徑等同位置的磁通密度為0.001～1.0T(Wb/m²)。