[發(fā)明專利]用于控制硅鍺緩沖層中的位錯(cuò)位置的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200580051133.0
• 申請日: 2005-07-25
• 公開（公告）號(hào): CN101228616A
• 公開（公告）日: 2008-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝亞宏;尹泰植
• 申請（專利權(quán)）人: 加利福尼亞大學(xué)董事會(huì)
• 主分類號(hào): H01L21/20
• 分類號(hào): H01L21/20;H01L21/36;H01L21/76
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 章社杲;李丙林

1.一種用于控制硅鍺緩沖層中的位錯(cuò)位置的方法，包括：

將應(yīng)變含硅鍺層沉積在襯底上；

用位錯(cuò)誘導(dǎo)劑照射所述含硅鍺層的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域；

通過退火工藝處理所述襯底和所述應(yīng)變含硅鍺層，將所述應(yīng)變含硅鍺層轉(zhuǎn)變成弛豫狀態(tài)；以及

其中在所述含硅鍺層中的位錯(cuò)位于所述一個(gè)或多個(gè)區(qū)域中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括將選自由應(yīng)變硅和應(yīng)變硅鍺組成的組中的應(yīng)變材料的層沉積在所述弛豫含硅鍺層上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，進(jìn)一步包括：

用布置在所述應(yīng)變材料的層上的掩膜來暴露所述包含位錯(cuò)的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域；以及

在所述包含位錯(cuò)的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域中形成二氧化硅隔離區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述二氧化硅隔離區(qū)域通過氧離子注入、隨后的退火工藝形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述一個(gè)或多個(gè)區(qū)域包括多個(gè)通道。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述一個(gè)或多個(gè)區(qū)域包括多個(gè)相交的通道。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述位錯(cuò)誘導(dǎo)劑包括離子。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述位錯(cuò)誘導(dǎo)劑包括電子。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在用退火工藝處理所述襯底和應(yīng)變含硅鍺層之前，將含硅層沉積在所述應(yīng)變含硅鍺層上。

10.一種用于控制硅鍺緩沖層中的位錯(cuò)位置的方法，包括：

用位錯(cuò)誘導(dǎo)劑照射襯底的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域；

將應(yīng)變含硅鍺層沉積在所述襯底上；

用退火工藝處理所述襯底和應(yīng)變含硅鍺層從而將所述應(yīng)變含硅鍺層轉(zhuǎn)變成弛豫狀態(tài)；以及

其中所述含硅鍺層中的位錯(cuò)位于所述一個(gè)或多個(gè)區(qū)域。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包括將選自由應(yīng)變硅和應(yīng)變硅鍺組成的組中的應(yīng)變材料的層沉積在弛豫硅鍺層上。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，進(jìn)一步包括：

用布置在所述應(yīng)變材料的層上的掩膜來暴露所述包含位錯(cuò)的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域；以及

在所述包含位錯(cuò)的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域中形成二氧化硅隔離區(qū)域。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述二氧化硅隔離區(qū)域通過氧離子注入、隨后的退火工藝形成。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述一個(gè)或多個(gè)區(qū)域包括多個(gè)通道。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述一個(gè)或多個(gè)區(qū)域包括多個(gè)相交的通道。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述位錯(cuò)誘導(dǎo)劑包括離子。

17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述位錯(cuò)誘導(dǎo)劑包括電子。

18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包括在用退火工藝處理所述襯底和應(yīng)變含硅鍺層之前，將含硅層沉積在所述應(yīng)變含硅鍺層上。

19.一種在襯底上形成量子點(diǎn)陣列的方法，包括：

將應(yīng)變含硅鍺層沉積在襯底上；

用位錯(cuò)誘導(dǎo)劑照射所述應(yīng)變含硅鍺層的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域；

使所述應(yīng)變硅鍺層馳豫到弛豫狀態(tài)，其中所述弛豫過程在所述弛豫硅鍺層中形成位錯(cuò)網(wǎng)絡(luò)；以及

將量子點(diǎn)沉積在所述位錯(cuò)網(wǎng)絡(luò)上。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述位錯(cuò)網(wǎng)絡(luò)是基本上垂直的網(wǎng)絡(luò)。

21.一種制品，包括：

襯底；

設(shè)置在所述襯底上的弛豫緩沖層；以及

形成在所述弛豫緩沖層中的多個(gè)隔離區(qū)域，其中所述隔離區(qū)域包括穿透位錯(cuò)并且所述弛豫緩沖層的剩余部分基本上沒有穿透位錯(cuò)。