[發(fā)明專利]SIMOX晶片的制造方法及用該方法制造的SIMOX晶片

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200580051121.8
• 申請日: 2005-07-22
• 公開（公告）號: CN101228613A
• 公開（公告）日: 2008-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高橋功;中井哲彌
• 申請（專利權(quán)）人: 勝高股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L27/12
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 龐立志;李平英

1.SIMOX晶片的制造方法，其特征在于包含：

向硅片注入氧離子的工序，

洗滌所述注入了氧離子的硅片的工序，和

通過對所述洗滌了的硅片進行熱處理在所述硅片的內(nèi)部形成埋入氧化膜的工序，

進一步含有：在向所述硅片注入氧離子后且在洗滌所述硅片前，將所述硅片浸漬在氫氟酸水溶液中，對形成于所述硅片表面的SiO₂膜進行蝕刻處理的工序，

所述蝕刻處理時的氫氟酸水溶液對所述SiO₂膜的蝕刻速率為150～3000/分鐘。

2.權(quán)利要求1所述的SIMOX晶片的制造方法，其中，將向硅片注入氧離子分成多次進行，在這些氧離子注入工序的任意一次的注入工序后立即或2次以上的各注入工序之后立即將所述硅片浸漬在氫氟酸水溶液中。

3.權(quán)利要求1或2所述的SIMOX晶片的制造方法，其中，氫氟酸水溶液的溫度超過該氫氟酸水溶液的凝固點且為40℃以下，硅片在所述氫氟酸水溶液中的浸漬時間為10～600秒。

4.權(quán)利要求1或2所述的SIMOX晶片的制造方法，其中，將氫氟酸水溶液對SiO₂膜的蝕刻速率設(shè)為R(/分鐘)、將所述晶片在所述氫氟酸水溶液中的浸漬時間設(shè)為H(秒)時，設(shè)定所述浸漬時間使H≥(1500/R)(秒)。

5.權(quán)利要求1所述的SIMOX晶片的制造方法，其中，向氫氟酸水溶液中添加表面活性劑。

6.SIMOX晶片，其用權(quán)利要求1所述的方法制造，且在23℃的溫度下浸漬在濃度為50重量％的氫氟酸水溶液中30分鐘后所觀察到的缺陷即貫通SOI層的深缺陷的個數(shù)為0.05個/cm²以下。