[發明專利]用于檢測電磁波的器件以及生產這樣的器件的方法有效
| 申請號: | 200580050291.4 | 申請日: | 2005-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN101213429A | 公開(公告)日: | 2008-07-02 |
| 發明(設計)人: | 約翰尼斯·赫恩施多弗;喬治·斯都特;斯特凡·A·羅辛格;喬基姆·溫特福爾德;德克·安德林 | 申請(專利權)人: | HL-平面技術有限公司 |
| 主分類號: | G01J5/12 | 分類號: | G01J5/12;G01J5/20 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 黨建華 |
| 地址: | 德國多*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 檢測 電磁波 器件 以及 生產 這樣 方法 | ||
1.一種用于檢測電磁波的器件,具有
-包含膜片的第一板和至少部分地固定在所述膜片上的檢測器結構,
-附著于所述第一板的第二板,
-所述第一和/或第二板上的用于表面安裝技術的至少一個觸點,
其特征在于,所述檢測器結構和所述觸點之間的連接線至少部分地穿過所述第一和/或所述第二板,并且此連接線至少部分地是通過薄膜淀積和/或鍍敷法制備的。
2.一種用于檢測電磁波的器件,具有
-包含膜片的第一板和至少部分地固定在所述膜片上的檢測器結構,
-所述膜片至少部分地與所述第一板中的第一封閉空腔接界,以及
附著于所述第一板的第二板,所述第二板具有第二封閉空腔,所述膜片至少部分地與所述第二空腔接界。
3.根據權利要求2所述的器件,其特征在于,所述檢測器結構和所述第一和/或第二板上的用于表面安裝技術的觸點之間的連接線,至少部分地穿過所述第一和/或所述第二板,并且此連接線至少部分地是通過薄膜淀積和/或鍍敷法制備的。
4.根據權利要求3所述的器件,其特征在于,所述膜片至少部分地置于所述第一板的背部,并且所述檢測器結構至少部分地固定于所述第一板的所述背部的所述膜片上。
5.根據權利要求1到4中的任一項所述的器件,其特征在于,所述板在它們面對的表面彼此附著在一起。
6.根據權利要求1到5中的任一項所述的器件,其特征在于,所述檢測器結構包含至少一個熱電偶。
7.根據權利要求6所述的器件,其特征在于,所述檢測器結構包括至少兩個檢測器的陣列,從而每一個芯片都包含至少一個熱電偶。
8.根據權利要求1到7中的任一項所述的器件,其特征在于,所述檢測器結構被配置為表面安裝器件(SMD)結構。
9.根據權利要求2到8中的任一項所述的器件,其特征在于,第三板封閉所述第一或第二空腔。
10.根據權利要求1到9中的任一項所述的器件,其特征在于,所述第一和/或所述第二板包含半導體襯底。
11.根據權利要求2到10中的任一項所述的器件,其特征在于,所述第三板包含半導體襯底。
12.根據權利要求2到11中的任一項所述的器件,其特征在于,所述第一板、所述第二板和/或所述第三板包含半導體層。
13.根據權利要求11或12所述的器件,其特征在于,所述第一板、所述第二板和所述第三板包含相同的半導體襯底。
14.根據權利要求13所述的器件,其特征在于,所述第一板、所述第二板和/或所述第三板包含硅。
15.根據權利要求2到14中的任一項所述的器件,其特征在于,所述第一板和/或所述第三板可被待測量的電磁波穿透。
16.根據權利要求1到15中的任一項所述的器件,其特征在于,所述第二板可被待測量的電磁波穿透。
17.根據權利要求15或16所述的器件,其特征在于,所述可被穿透的板包含用于影響所述電磁波的波路的裝置。
18.根據權利要求1到17中的任一項所述的器件,其特征在于,所述器件的朝外側至少部分地涂有反射電磁波的材料。
19.根據權利要求1到18中的任一項所述的器件,其特征在于,所述器件的朝外側至少部分地涂有吸收電磁波的材料。
20.根據權利要求1到19中的任一項所述的器件,其特征在于,所述器件被設計為使所述檢測器結構與電場和/或磁場屏蔽。
21.根據權利要求2到20中的任一項所述的器件,其特征在于,在所述第一空腔和所述第二空腔之間存在流體連接。
22.根據權利要求1到21中的任一項所述的器件,其特征在于,ASIC(專用集成電路)連接到所述第一板、所述第二板或所述第三板中的至少一個。
23.根據權利要求1到22中的任一項所述的器件,其特征在于,所述第一板包含與所述檢測器結構分開放置的溫度傳感器。
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