[發(fā)明專利]射頻識別標(biāo)簽無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200580050274.0 | 申請日： | 2005-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN101208827A | 公開（公告）日： | 2008-06-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 山雅城尚志;馬庭透;甲斐學(xué) | 申請（專利權(quán)）人： | 富士通株式會社 |
| 主分類號： | H01Q1/38 | 分類號： | H01Q1/38;B42D15/10;G06K19/00;H01Q9/04 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 黃綸偉 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 射頻 識別 標(biāo)簽 | ||
1.一種可以粘貼在金屬上的射頻識別標(biāo)簽，其特征在于，該射頻識別標(biāo)簽具有：
薄膜；
在所述薄膜上形成為平面狀的反F天線，
所述薄膜被粘貼成使形成的所述反F天線的放射元件、短路棒和供電部從所述金屬突出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻識別標(biāo)簽，其特征在于，所述供電部形成于所述放射元件的一端，所述短路棒形成于所述放射元件的兩端之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻識別標(biāo)簽，其特征在于，確定所述短路棒的位置，以使得與所安裝的半導(dǎo)體裝置的阻抗相匹配。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻識別標(biāo)簽，其特征在于，所述短路棒形成于所述放射元件的一端，所述供電部形成于所述放射元件的兩端之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的射頻識別標(biāo)簽，其特征在于，確定所述供電部的位置，以使得與所安裝的半導(dǎo)體裝置的阻抗相匹配。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻識別標(biāo)簽，其特征在于，所述反F天線通過印刷而被形成在所述薄膜上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻識別標(biāo)簽，其特征在于，所述反F天線由金屬箔形成，并粘貼在所述薄膜上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻識別標(biāo)簽，其特征在于，通過蒸鍍而在所述薄膜上形成所述反F天線。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻識別標(biāo)簽，其特征在于，通過對層疊在所述薄膜上的金屬進(jìn)行蝕刻而形成所述反F天線。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻識別標(biāo)簽，其特征在于，所述薄膜由聚對苯二甲酸乙二醇酯構(gòu)成。
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