[發(fā)明專利]硅晶片及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200580050229.5
• 申請(qǐng)日: 2005-11-09
• 公開（公告）號(hào): CN101238557A
• 公開（公告）日: 2008-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杉村涉;小野敏昭;寶來正隆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 勝高股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/322
• 分類號(hào): H01L21/322;H01L21/324;H01L21/26;C30B29/06;C30B33/02
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 熊玉蘭;李平英

1.一種硅晶片的制造方法，其為硅單晶晶片的制造方法，該方法包括：

在含有含氫原子的物質(zhì)的氣體的惰性環(huán)境氣體中，通過CZ法生長(zhǎng)硅單晶的步驟，

由所述硅單晶切出晶片的步驟，

在非氧化環(huán)境氣體中、于1000℃～1300℃下對(duì)所述晶片實(shí)施熱處理的高溫?zé)崽幚聿襟E，

在所述高溫?zé)崽幚聿襟E之前，在低于該熱處理溫度的溫度下，對(duì)所述晶片實(shí)施熱處理的低溫?zé)崽幚聿襟E。

2.一種硅晶片的制造方法，該方法包括：

在含有含氫原子的物質(zhì)的氣體的惰性環(huán)境氣體中，通過CZ法生長(zhǎng)硅單晶的步驟，

由所述硅單晶切出晶片的步驟，

對(duì)所述晶片實(shí)施用于防止電阻率變動(dòng)的消除施主的熱處理的施主消除熱處理步驟，

在所述施主消除熱處理步驟之前，在低于該熱處理溫度的溫度下，對(duì)所述晶片實(shí)施熱處理的低溫?zé)崽幚聿襟E。

3.如權(quán)利要求1或2所述的硅晶片的制造方法，其中，所述低溫?zé)崽幚聿襟E的溫度范圍為400℃～650℃、升溫速率為0.2℃/min～2.0℃/min。

4.如權(quán)利要求3所述的硅晶片的制造方法，其中，所述熱處理步驟通過梯度熱處理進(jìn)行。

5.如權(quán)利要求1所述的硅晶片的制造方法，其中，通過所述低溫?zé)崽幚聿襟E，使所述高溫?zé)崽幚聿襟E前后的氧濃度差根據(jù)ASTM-F1211979測(cè)定為1.5×10¹⁷個(gè)原子/cm³以上。

6.如權(quán)利要求1所述的硅晶片的制造方法，其中，所述惰性環(huán)境氣體中的氫濃度，在爐內(nèi)壓力為1.3～13.3kPa的條件下，被設(shè)定于0.1％～20％的范圍。

7.如權(quán)利要求1或2所述的硅晶片的制造方法，其中，使所述高溫?zé)崽幚砗蟮难跷龀鑫锩芏葹?.0×10¹⁰個(gè)/cm³以上。

8.一種硅晶片，其通過權(quán)利要求1或2中任意一項(xiàng)所述的制造方法制造。