[發(fā)明專利]硅單晶的生長方法及硅晶片的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200580050122.0 | 申請日： | 2005-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN101198727A | 公開（公告）日： | 2008-06-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 稻見修一;高瀨伸光;小暮康弘;濱田建;中村剛 | 申請（專利權(quán)）人： | 勝高股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 熊玉蘭;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硅單晶 生長 方法 晶片 制造 | ||
1.一種硅單晶的生長方法，其為通過直拉法生長根據(jù)ASTM-F121?1979測得的氧濃度為12×1017～18×1017個原子/cm3的硅單晶的方法，其中，
生長所述單晶的環(huán)境氣體含有含氫原子的物質(zhì)的氣體，
對生長中的硅單晶的溫度進(jìn)行控制，以使從熔點(diǎn)到1350℃的結(jié)晶中心部的軸向溫度梯度Gc與從熔點(diǎn)到1350℃的結(jié)晶外周部的軸向溫度梯度Ge之比Gc/Ge為1.1～1.4、所述結(jié)晶中心部的軸向溫度梯度Gc為3.0～3.5℃/mm。
2.權(quán)利要求1所述的硅單晶的生長方法，其中，對生長中的硅單晶的側(cè)面部進(jìn)行冷卻。
3.權(quán)利要求1所述的硅單晶的生長方法，其中，根據(jù)ASTM-F121?1979測得的所述氧濃度為13×1017～16×1017個原子/cm3。
4.權(quán)利要求1所述的硅單晶的生長方法，其中，生長中的硅單晶的溫度為1000～800℃的時間為80～180分鐘。
5.權(quán)利要求1所述的硅單晶的生長方法，其中，所述環(huán)境氣體中含氫原子的物質(zhì)的氣體的氫分子分壓為40～400Pa。
6.權(quán)利要求1所述的硅單晶的生長方法，其中，使所述硅單晶的直筒部為氧析出促進(jìn)區(qū)域和/或氧析出抑制區(qū)域。
7.權(quán)利要求1所述的硅單晶的生長方法，其中，使所述硅單晶的直筒部為氧析出抑制區(qū)域。
8.一種硅晶片的制造方法，其中，由通過權(quán)利要求1～7任意一項所述的硅單晶的生長方法生長的硅單晶的直筒部采取，氧析出物密度為1×104～1×106個/cm2。
9.一種硅晶片，其通過權(quán)利要求8所述的硅晶片制造方法制造。
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