[發明專利]半導體單晶制造裝置

有效

• 申請號: 200580049783.1
• 申請日: 2005-12-06
• 公開（公告）號: CN101175874A
• 公開（公告）日: 2008-05-07
• 發明（設計）人: 杉村涉;小野敏昭;寶來正隆
• 申請（專利權）人: 勝高股份有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B15/20
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 孫秀武;李平英

1.一種半導體單晶制造裝置，其具有蓄積半導體熔融液的坩鍋、加熱所述坩鍋的加熱器、旋轉和/或升降所述坩鍋的坩鍋驅動裝置、容納所述坩鍋和加熱器的腔、以及向所述腔內供給混合有含有氫原子的含氫氣體和惰性氣體的混氫氣體的混氫氣體供給裝置，其特征在于，

所述混氫氣體供給裝置具備供給含有氫原子的含氫氣體的含氫氣體供給機、供給惰性氣體的惰性氣體供給機、控制由所述含氫氣體供給機供給的含氫氣體的流量的含氫氣體流量控制器、控制由所述惰性氣體供給機供給的惰性氣體的流量的惰性氣體流量控制器、和混合分別由所述含氫氣體流量控制器和所述惰性氣體流量控制器流出的含氫氣體和惰性氣體而生成并蓄積混氫氣體的緩沖罐。

2.如權利要求1所述的半導體單晶制造裝置，其特征在于，所述半導體熔融液為硅熔融液，所述半導體單晶為硅單晶。

3.如權利要求1所述的半導體單晶制造裝置，其特征在于，所述緩沖罐設有檢測緩沖罐的內壓的緩沖罐壓力傳感器。

4.如權利要求1所述的半導體單晶制造裝置，其特征在于，在所述緩沖罐的流入側設有罐流入開關閥。

5.如權利要求4所述的半導體單晶制造裝置，其特征在于，將所述緩沖罐的流入側的總流量設定為大于流出側的總流量，當所述緩沖罐的內壓高于預先設定的設定內壓范圍的上限值時，控制關閉所述罐流入開關閥直到所述緩沖罐的內壓到達所述設定壓力范圍的下限值以下。

6.如權利要求1所述的半導體單晶制造裝置，其特征在于，進一步具備檢測所述腔內的壓力的腔內壓檢測裝置，根據用所述腔內壓檢測裝置檢測的腔內的壓力值控制所述含氫氣體流量控制器的含氫氣體流量。

7.如權利要求1所述的半導體單晶制造裝置，其特征在于，進一步具備檢測由所述硅熔融液提拉的半導體單晶的提拉速度的提拉速度檢測裝置，根據半導體單晶的提拉速度值控制所述含氫氣體流量控制器的含氫氣體流量。

8.如權利要求1所述的半導體單晶制造裝置，其特征在于，進一步具備檢測由所述半導體熔融液提拉的半導體單晶的結晶長度的結晶長度檢測裝置，根據經提拉的半導體單晶的結晶長度控制所述含氫氣體流量控制器的含氫氣體流量。

9.如權利要求1所述的半導體單晶制造裝置，其特征在于，所述惰性氣體至少以氬為主成分。

10.如權利要求1所述的半導體單晶制造裝置，其特征在于，所述含氫氣體供給機具備精制含有氫原子的原料氣體的含氫氣體精制裝置。

11.如權利要求1所述的半導體單晶制造裝置，其特征在于，所述惰性氣體供給機具備精制含有惰性氣體的原料氣體的惰性氣體精制裝置。

12.如權利要求1所述的半導體單晶制造裝置，其特征在于，所述混氫氣體供給裝置具備向多個所述腔供給所述混氫氣體的多個混氫氣體供給管線。

13.如權利要求1所述的半導體單晶制造裝置，其特征在于，所述腔的至少內表面由對氫具有耐腐蝕性的材料形成。