[發明專利]銅配線研磨用組合物及半導體集成電路表面的研磨方法

無效

• 申請號: 200580049705.1
• 申請日: 2005-05-06
• 公開（公告）號: CN101171670A
• 公開（公告）日: 2008-04-30
• 發明（設計）人: 次田克幸;神谷広幸
• 申請（專利權）人: 旭硝子株式會社;AGC清美化學股份有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 沙永生

1.銅配線研磨用組合物，其特征在于，含有水，過氧化物類氧化劑，銅的表面保護劑，選自酒石酸、丙二酸、蘋果酸、檸檬酸、馬來酸、乙二酸和富馬酸的至少一種第一螯合劑，以及選自三亞乙基四胺、乙二胺二乙酸、乙二胺四乙酸、四亞乙基五胺、乙二醇醚二胺四乙酸、反式-1，2-環己二胺四乙酸、鄰菲咯啉及它們的衍生物和鹽的至少一種第二螯合劑。

2.銅配線研磨用組合物，其特征在于，含有水、過氧化物類氧化劑、銅的表面保護劑、作為銅配位化合物的穩定度常數為2～9的螯合劑A以及作為銅配位化合物的穩定度常數在10以上的螯合劑B。

3.如權利要求1所述的銅配線研磨用組合物，其特征在于，含有0.2～20質量％過氧化物類氧化劑、0.001～1質量％銅的表面保護劑、0.1～10質量％第一螯合劑以及0.01～2質量％第二螯合劑。

4.如權利要求1或3所述的銅配線研磨用組合物，其特征在于，第一螯合劑相對于第二螯合劑的組成比(質量比)在2/1～100/1的范圍內。

5.如權利要求2所述的銅配線研磨用組合物，其特征在于，含有0.2～20質量％過氧化物類氧化劑、0.001～1質量％銅的表面保護劑、0.1～10質量％螯合劑A以及0.01～2質量％螯合劑B。

6.如權利要求2或5所述的銅配線研磨用組合物，其特征在于，螯合劑A相對于螯合劑B的組成比(質量比)在2/1～100/1的范圍內。

7.如權利要求1～6中任一項所述的銅配線研磨用組合物，其特征在于，所述過氧化物類氧化劑為過氧化氫。

8.如權利要求1～7中任一項所述的銅配線研磨用組合物，其特征在于，銅的表面保護劑為具有式(1)的結構的化合物，

式(1)中，R表示氫原子、碳數1～4的烷基、碳數1～4的烷氧基或羧基。

9.如權利要求1～8中任一項所述的銅配線研磨用組合物，其特征在于，還含有研磨顆粒。

10.如權利要求9所述的銅配線研磨用組合物，其特征在于，研磨顆粒的平均粒徑在0.005～0.5μm的范圍內，比表面積在30～300m²/g的范圍內，其濃度在0.01～10質量％的范圍內。

11.如權利要求1～10中任一項所述的銅配線研磨用組合物，其特征在于，還在0.01～10質量％的范圍內含有三羥甲基氨基甲烷。

12.半導體集成電路表面的研磨方法，其特征在于，將形成于具有配線用的溝的表面的銅膜用權利要求1～11中任一項所述的銅配線研磨用組合物進行研磨。

13.半導體集成電路用銅配線的制作方法，其特征在于，將形成于具有配線用的溝的表面的銅膜用權利要求1～11中任一項所述的銅配線研磨用組合物進行研磨，形成銅配線。