[發明專利]電子元件、存儲裝置及半導體集成電路

無效

• 申請號: 200580049548.4
• 申請日: 2005-09-09
• 公開（公告）號: CN101167138A
• 公開（公告）日: 2008-04-23
• 發明（設計）人: 村岡俊作;小佐野浩一;三谷覺;關博司
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: G11C16/02
• 分類號: G11C16/02
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍淳

1.一種電子元件，其中：

包括：第一電極，

第二電極，以及

層，連接在所述第一電極與所述第二電極之間，并且具有二極管特性和可變電阻特性；

所述層，在從所述第一電極及所述第二電極中的一個電極向另一個電極延伸的正方向上，傳導與和所述正方向相反的反方向相比電流量更多的電流；

所述層在所述正方向上的電阻值，根據被施加在所述第一電極與所述第二電極之間的規定脈沖電壓而增加或減少。

2.根據權利要求1所述的電子元件，其中：

所述第一電極的功函數，與所述第二電極的功函數不同。

3.根據權利要求2所述的電子元件，其中：

所述第一電極的功函數，小于所述第二電極的功函數；

所述層，具有將從所述第一電極向所述第二電極延伸的方向設為所述正方向的二極管特性。

4.根據權利要求2所述的電子元件，其中：

所述第一電極的功函數，大于所述第二電極的功函數；

所述層具有將從所述第二電極向所述第一電極延伸的方向設為所述正方向的二極管特性。

5.根據權利要求3所述的電子元件，其中：

在以所述第一電極相對所述第二電極成為正極的方式在所述第一電極與所述第二電極之間施加脈沖電壓時，所述層在所述正方向上的電阻值減少；

在以所述第一電極相對所述第二電極成為負極的方式在所述第一電極與所述第二電極之間施加脈沖電壓時，所述層在所述正方向上的電阻值增加。

6.根據權利要求4所述的電子元件，其中：

在以所述第一電極相對所述第二電極成為正極的方式在所述第一電極與所述第二電極之間施加脈沖電壓時，所述層在所述正方向上的電阻值減少；

在以所述第一電極相對所述第二電極成為負極的方式在所述第一電極與所述第二電極之間施加脈沖電壓時，所述層在所述正方向上的電阻值增加。

7.根據權利要求3所述的電子元件，其中：

在以所述第一電極相對所述第二電極成為正極的方式在所述第一電極與所述第二電極之間施加脈沖電壓時，所述層在所述正方向上的電阻值增加；

在以所述第一電極相對所述第二電極成為負極的方式在所述第一電極與所述第二電極之間施加脈沖電壓時，所述層在所述正方向上的電阻值減少。

8.根據權利要求4所述的電子元件，其中：

在以所述第一電極相對所述第二電極成為正極的方式在所述第一電極與所述第二電極之間施加脈沖電壓時，所述層在所述正方向上的電阻值增加；

在以所述第一電極相對所述第二電極成為負極的方式在所述第一電極與所述第二電極之間施加脈沖電壓時，所述層在所述正方向上的電阻值減少。

9.根據權利要求1所述的電子元件，其中：

所述層的結晶性不均勻。

10.根據權利要求9所述的電子元件，其中：

所述結晶性上的均勻性，是沿所述反方向減少下去的；

所述正方向，從所述第一電極向所述第二電極延伸。

11.根據權利要求10所述的電子元件，其中：

正初始化電壓，從所述第一電極被施加在所述第二電極上；

在以所述第一電極相對所述第二電極成為正極的方式在所述第一電極與所述第二電極之間施加脈沖電壓時，所述層在所述正方向上的電阻值減少；

在以所述第一電極相對所述第二電極成為負極的方式在所述第一電極與所述第二電極之間施加脈沖電壓時，所述層在所述正方向上的電阻值增加。

12.根據權利要求10所述的電子元件，其中：

負初始化電壓，從所述第一電極被施加在所述第二電極上；

在以所述第一電極相對所述第二電極成為正極的方式在所述第一電極與所述第二電極之間施加脈沖電壓時，所述層在所述正方向上的電阻值增加；

在以所述第一電極相對所述第二電極成為負極的方式在所述第一電極與所述第二電極之間施加脈沖電壓時，所述層在所述正方向上的電阻值減少。

13.根據權利要求1所述的電子元件，其中：

通過在所述第一電極與所述第二電極之間施加規定的脈沖電壓，使所述正方向上的電阻值變化，來讓所述電子元件儲存一位或多位信息。