[發明專利]傳遞物質的引腳

有效

• 申請號: 200580049431.6
• 申請日: 2005-04-19
• 公開（公告）號: CN101160194A
• 公開（公告）日: 2008-04-09
• 發明（設計）人: 黃文洲;呂添成;林貽潮
• 申請（專利權）人: 奧利進科技有限公司
• 主分類號: B23K1/20
• 分類號: B23K1/20;H05K3/34
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余朦;方挺

技術領域

本發明一般涉及用于傳遞物質的引腳。

背景技術

在半導體器件的制造中，經常需要將半導體器件的多個元件與導電連接器連接在一起，使得在使用時可在它們之間形成電連接。

導電連接器可利用涉及將焊球沉積在電子元件的襯底上的球柵陣列(BGA)技術而形成。焊球須經焊接從而形成導電連接器以導電。

在將焊球沉積于襯底上之前，還需將助熔物質(flux?material)沉積在襯底上，從而使焊球可充分地黏著在襯底上。

當前BGA技術使用引腳塊將助焊劑分配于襯底上。第5,816,481號美國專利中公開了公知的引腳塊及使用方法。第5,816,481號美國專利中公開的方法的缺點在于引腳經常沒有將足夠量的助熔物質沉積在襯底的焊接點處。不足量的助熔物質導致不充分的焊接。這會引起半導體器件無法使用。

第5,816,481號美國專利中公開的引腳還具有將過量的助熔物質沉積在襯底上的缺點。過量的助熔劑導致在焊接后積聚在襯底上的助熔劑殘渣(flux?residue)。過量的助熔劑殘渣會產生焊接后的清潔問題。

與過量助熔劑相關聯的另一個問題是焊球會與鄰近的焊球融合。這導致了在引起傳導性焊球連接器的共面問題的襯底上球大小的不均勻分布，這會導致半導體器件的失效。

因此，在襯底上的焊接點處沉積精確量的助熔物質是很重要的。

圖1A至圖1D為公知的助熔劑壓印過程的示意圖。在公知的助熔劑壓印過程中，使用助熔劑壓印裝置將助熔物質壓印在襯底上。此裝置包含安裝在腔室12內的助熔劑引腳10的陣列。圖1A至1D中的一個助熔劑引腳10的放大圖在圖1中示出。參見圖1A所示的步驟1，助熔劑引腳10的陣列安裝在包含外殼14的可移動腔室12內，引腳10的近端16位于外殼14中。每個引腳10被彈簧18在箭頭20所示的方向上向引腳10的遠端22偏斜。將引腳10的遠端22浸于盤26中的助熔物質24中從而用助熔物質24涂覆遠端22。

在圖1B所示的步驟2中，從助熔物質24上移開引腳10，并且用助熔物質24涂覆引腳10的遠端22。

在圖1C所示的步驟3中，以箭頭32所示的方向將引腳10降低至襯底28上以將助熔物質24沉積于其上。襯底28包括多個凹部30，助熔物質24將被沉積在凹部30上。

在圖1D所示的步驟4中，引腳10以箭頭34所示的方向從襯底28上釋放。

現特別參見圖1B，可以看出由于助熔劑壓印器件的拖延使用而產生的助熔劑蔓延(flux?creep)，在引腳10a與10b之間形成助熔劑橋(flux?bridge)24a。

助熔劑在引腳10上蔓延或蠕動的影響因素是由于柱面23的表面能量沿縱向軸21是恒定的。此恒定的表面能量使助熔劑沿柱面23展開以達到平衡。錐形面25的表面能量沿縱向軸21隨著其圓周而增加，并且促使助熔劑向更大的圓周移動。

在相繼浸入助熔物質中后，引腳上助熔劑的積聚導致助熔物質24趨向于在朝向引腳10的近端的方向上向引腳10的桿蔓延。此被稱為“助熔劑蔓延”或??“助熔劑蠕動”。

如圖1D中箭頭38所示，助熔劑橋24a的形成導致在襯底28上助熔物質24a的不均勻沉積。

助熔劑蔓延進一步帶來的問題是，由于助熔劑團塊被“牽引”至引腳的桿上，這使得黏著在遠端22上的助熔劑的量減少。沉積于遠端22上的助熔劑數量的減少導致沉積于襯底上的助熔劑數量的減少。這使得沉積于襯底上的助熔劑的量不等，此可導致有缺陷的焊接。當使用具有低黏度的助熔劑時，此現象尤其顯著。

因此，若本發明的實施方案提供可克服或至少改善一個或多個上述缺點的引腳，則將是有利的。

發明內容

根據本發明的第一個方面，提供了一種用于使具有黏著性的物質黏著于其上的引腳，所述引腳包括：桿，其具有縱向軸、遠端和與所述遠端相對的近端；以及第一錐形部分，其設置在所述桿的所述縱向軸上，所述第一錐形部分在朝著所述桿的所述近端的方向上由第一圓周逐漸縮減至較小的第二圓周。

在第一個方面的一個實施方式中，引腳包括第二錐形部分，其設置在所述第一錐形部分與所述近端之間所述桿的所述縱向軸上，所述第二錐形部分在朝著所述桿的所述遠端的方向上由第三圓周逐漸縮減至較小的第四圓周。

有利地，在使用中，相對于第二錐形部分的圓錐角的第一錐形部分的圓錐角至少部分地抑制物質在第二錐形部分上的黏著。有利地，基本上防止在引腳的桿上越過第一錐形部分發生物質蔓延或蠕動。