[發明專利]半導體裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 200580049364.8
• 申請日: 2005-03-30
• 公開（公告）號: CN101151729A
• 公開（公告）日: 2008-03-26
• 發明（設計）人: 王文生
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 張龍哺

1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

半導體元件，其形成在半導體基板上；

絕緣膜，其形成在形成有上述半導體元件的上述半導體基板上；

插塞，其形成在上述絕緣膜上，并埋入于到達上述半導體元件的接觸孔內，而與上述半導體元件相連接，并且，該插塞具有由貴金屬或貴金屬氧化物構成的導體膜；

電容器，其具有：形成在形成有上述插塞的上述絕緣膜上，并與上述插塞相連接的下部電極；形成在上述下部電極上，并由鐵電薄膜或高電介質薄膜構成的電介質薄膜；形成在上述電介質薄膜上的上部電極。

2.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

半導體元件，其形成在半導體基板上；

絕緣膜，其形成在形成有上述半導體元件的上述半導體基板上；

插塞，其形成在上述絕緣膜上，并埋入于到達上述半導體元件的接觸孔內，而與上述半導體元件相連接，并且，該插塞具有由貴金屬或貴金屬氧化物構成的導體膜；

使由上述貴金屬或貴金屬氧化物構成的導體膜插塞平坦化后而形成的插塞；

電容器，其具有：形成在形成有上述插塞的上述絕緣膜上，并與上述插塞相連接的下部電極；形成在上述下部電極上，并由鐵電薄膜或高電介質薄膜構成的電介質薄膜；形成在上述電介質薄膜上的上部電極。

3.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

半導體元件，其形成在半導體基板上；

絕緣膜，其形成在形成有上述半導體元件的上述半導體基板上；

插塞，其形成在上述絕緣膜上，并埋入于到達上述半導體元件的接觸孔內，而與上述半導體元件相連接，并且，該插塞具有由貴金屬或貴金屬氧化物構成的導體膜；

使由上述貴金屬或貴金屬氧化物構成的導體膜插塞平坦化后而形成的插塞；

電容器，其具有：形成在形成有上述插塞的上述絕緣膜上，并與上述插塞相連接的非晶態貴金屬氧化物粘附層；形成在上述非晶態貴金屬氧化物粘附層上的下部電極；形成在上述下部電極上，并且，由鐵電薄膜或高電介質薄膜構成的電介質薄膜；形成在上述電介質薄膜上的上部電極。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述插塞與上述下部電極形成為一體。

5.如權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

該半導體裝置還具有粘附層，該粘附層形成在上述接觸孔內，用于確保上述導體膜相對于基底的粘附性。

6.如權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，

上述粘附層防止氫或水分的擴散。

7.如權利要求5或6所述的半導體裝置，其特征在于，

上述粘附層含有從由Ti膜、TiN膜、TiAlN膜、Ir膜、IrO_X膜、Pt膜、Ru膜以及Ta膜構成的組中所選擇出來的膜。

8.如權利要求1～7中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，該半導裝置還具有：

其他絕緣膜，其形成在上述絕緣膜上以及上述電容器上；

配線，其形成在上述其他絕緣膜上，經由形成在上述其他絕緣膜上并到達上述上部電極的接觸孔而與上述上部電極相連接，該配線具有由貴金屬或貴金屬氧化物構成的導體膜。

9.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

電容器，其形成在半導體基板上，并具有下部電極、電介質薄膜、上部電極，該電介質薄膜形成在上述下部電極上，并由鐵電薄膜或高電介質薄膜構成，該上部電極形成在上述電介質薄膜上；

絕緣膜，其形成在上述半導體基板上以及上述電容器上；

配線，其形成在上述絕緣膜上，經由形成在上述絕緣膜上并到達上述上部電極的接觸孔而與上述上部電極相連接，并且，該配線具有由貴金屬或貴金屬氧化物構成的導體膜。

10.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

電容器，其形成在半導體基板上，并具有下部電極、電介質薄膜、上部電極，該電介質薄膜形成在上述下部電極上，并由鐵電薄膜或高電介質薄膜構成，該上部電極形成在上述電介質薄膜上；

絕緣膜，其形成在上述半導體基板上以及上述電容器上；

配線，其形成在上述絕緣膜上，經由形成在上述絕緣膜上并到達上述上部電極或上述下部電極的接觸孔而與上述上部電極或上述下部電極相連接，該配線具有由貴金屬或貴金屬氧化物構成的導體膜。