[發明專利]不含鉛且多層被預鍍敷的引線框

無效

• 申請號: 200580048877.7
• 申請日: 2005-12-30
• 公開（公告）號: CN101133491A
• 公開（公告）日: 2008-02-27
• 發明（設計）人: 唐納德·C·阿博特
• 申請（專利權）人: 德州儀器公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 劉國偉

1.一種引線框條帶，其包括：

由基質金屬制成的結構，所述結構具有多個表面；以及

金屬層堆疊，其在所述結構表面中的每一者上粘附到所述基質金屬，所述堆疊依次包括：

鎳層，其大體上覆蓋所述整個基質金屬表面；

鈀層，其大體上覆蓋所述整個鎳層；以及

最外錫層，其大體上覆蓋所述整個鈀層。

2.根據權利要求1所述的引線框，其中所述基質金屬是從由銅、銅合金、鋁、鐵鎳合金和科瓦鐵鎳鈷合金組成的群組中選出的。

3.根據權利要求1或2所述的引線框，其進一步在所述第一表面上具有適合金屬焊接和接合的銀層的選擇性區域。

4.根據權利要求1-4中任一權利要求所述的引線框，其中所述最外錫層在選定區域中具有多個窗口，以便暴露所述下面的鈀以助于金屬接合附接。

5.一種半導體裝置，其包括：

引線框，其具有由基質金屬制成的結構，所述結構包括芯片安裝襯墊和多個引線區段；

所述基質金屬依次具有：大體上覆蓋所述基質金屬的鎳層、大體上覆蓋所述鎳層的鈀，和大體上覆蓋所述鈀層的最外錫層，所述基質金屬在所述裝置的多個外側處暴露；

半導體芯片，其附接到所述安裝襯墊；

從所述芯片到所述引線區段的導電連接件；以及

聚合密封材料，其覆蓋所述芯片、所述連接件和所述引線區段的部分。

6.根據權利要求5所述的裝置，其進一步包括所述區段的未由所述密封材料覆蓋的那些部分上的回流金屬。

7.一種用于制造引線框的方法，其包括以下步驟：

提供具有多個表面的結構化基質金屬條帶；以及

在所述結構化表面中的每一者上鍍敷粘附到所述基質金屬的金屬層堆疊，所述步驟依次包括：

鍍敷大體上覆蓋所述基質金屬的鎳層；

鍍敷大體上覆蓋所述鎳層的鈀層；以及

鍍敷大體上覆蓋所述鈀層的最外錫層。

8.根據權利要求7所述的方法，其進一步包括以下步驟：鍍敷所述錫層以使得其留下向下面的鈀層敞開的選定窗口。

9.根據權利要求7或8所述的方法，其進一步包括以下步驟：選擇性地鍍敷與所述錫層接觸的銀層。