[發(fā)明專利]硅塊及硅片的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200580048866.9 | 申請日： | 2005-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN101132896A | 公開（公告）日： | 2008-02-27 |
| 發(fā)明（設計）人： | 森川浩昭;唐木田昇市;河嵜貴文 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | B28D5/04 | 分類號： | B28D5/04;C09K3/14 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人： | 黃綸偉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅片 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅塊的制造方法，其使用含有磨粒和堿性物質的硅錠切割用漿液，切割硅錠來制造硅塊，其特征在于：
所述堿性物質的含量相對于所述漿液的液體成分整體的質量至少為3.5質量％；
所述漿液含有相對于所述漿液的液體成分中的水分的質量比為0.5以上、5.0以下的有機胺；
所述漿液的pH值為12以上，且在65℃以上、95℃以下使用所述漿液。
2.一種硅片的制造方法，其由研磨成表面粗糙度為預先設定的值以下的硅塊來制造硅片，其特征在于：
所述預先設定的值按照所述硅片的厚度進行變更。
3.根據(jù)權利要求2所述的硅片的制造方法，其特征在于：
表面粗糙度為不管所述表面粗糙度怎樣變化基板損壞改善率都幾乎顯示恒定值的多個區(qū)域中的、所述基板損壞改善率為80％以上的區(qū)域的上限值以下。
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