[發明專利]用于電鍍工藝的晶片支撐裝置和使用該裝置的方法

有效

• 申請號: 200580048332.6
• 申請日: 2005-12-05
• 公開（公告）號: CN101443485A
• 公開（公告）日: 2009-05-27
• 發明（設計）人: C·伍茲
• 申請（專利權）人: 蘭姆研究有限公司
• 主分類號: C25D17/00
• 分類號: C25D17/00;C25D7/12;C25D5/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 曾祥夌;趙 辛

1.一種用于電鍍工藝中的多層晶片處理系統，其包括：

底薄膜層，其包括晶片放置區域和包圍所述晶片放置區域的犧牲陽極；和

被限定成將放置在所述底薄膜層之上的頂薄膜層，所述頂薄膜層包括定位在待處理晶片表面之上的敞開區域，所述頂薄膜層被限定成在所述頂薄膜層和待處理晶片之間圍繞所述敞開區域的周邊提供液封，所述頂薄膜層包括第一電路和第二電路，所述第一電路和第二電路被限定成在沿直徑相對位置與待處理晶片的周邊頂面形成電接觸。

2.根據權利要求1所述的多層晶片處理系統，其特征在于，所述第一電路和第二電路各自可被獨立控制，并與所述底薄膜層的犧牲陽極隔離開。

3.根據權利要求1所述的多層晶片處理系統，其特征在于，所述犧牲陽極、所述第一電路和所述第二電路各自配置成通過外部可接觸到的電觸頭而與相應的電源連接起來。

4.根據權利要求1所述的多層晶片處理系統，其特征在于，所述底薄膜層的晶片放置區域由具有比待處理晶片更小直徑的圓形敞開區域、以及掩蔽區域來限定，所述掩蔽區域由所述敞開區域的邊緣限定，所述掩蔽區域包括被限定成在所述底薄膜層和待處理晶片之間形成液封的密封劑區域。

5.根據權利要求1所述的多層晶片處理系統，其特征在于，所述底薄膜層和頂薄膜層各自被限定為非晶體膜。

6.根據權利要求5所述的多層晶片處理系統，其特征在于，所述非晶體膜是Ajedium?Victrex?PEEK、聚醚酰亞胺(PEI)、聚砜(PSU)、聚苯硫醚(PPS)或包覆上或浸漬上銅的任何前述非晶體膜。

7.根據權利要求1所述的多層晶片處理系統，其特征在于，所述底薄膜層和頂薄膜層各自包括許多對準的標定點，以便于將所述多層晶片處理系統放置和定位在電鍍系統中。

8.一種用于在電鍍工藝中使用的晶片支撐裝置，其包括：

第一材料層，其具有用于接收待處理晶片的區域；

被限定在所述第一材料層之上的犧牲陽極；

構造成重疊在所述晶片的周邊區域以及所述晶片周邊區域外部的所述第一材料層上的第二材料層，所述第二材料層包括使所述待處理晶片的表面暴露出的切口，所述第二材料層還構造成在所述第二材料層和所述晶片的周邊區域之間形成密封；和

集成在所述第二材料層中的一對電路，所述這對電路中的各電路包括被限定成與待處理晶片表面形成電連接的電觸頭，所述這對電路與所述犧牲陽極之間電絕緣。

9.根據權利要求8所述的晶片支撐裝置，其特征在于，所述犧牲陽極埋置在所述第一材料層中。

10.根據權利要求8所述的晶片支撐裝置，其特征在于，還包括：

被限定成在所述第二材料層和所述待處理晶片的周邊區域之間形成密封的粘合劑。

11.根據權利要求8所述的晶片支撐裝置，其特征在于，所述第一和第二材料層包括對準的標定點，以便于將所述第一和第二材料層放置和定位在電鍍系統中。

12.根據權利要求8所述的晶片支撐裝置，其特征在于，所述這對電路中的各個電路被限定成圍繞所述晶片的周邊在沿直徑相對的位置處與待處理晶片的表面相連。

13.根據權利要求8所述的晶片支撐裝置，其特征在于，所述犧牲陽極配置成與第一電源相連，所述這對電路配置成與第二電源相連，并且所述第一和第二電源是可獨立控制的。

14.根據權利要求8所述的晶片支撐裝置，其特征在于，所述第一材料層還包括，

圓形切口，其具有比待處理晶片的直徑更小的直徑，和

在所述切口周圍形成的掩蔽區域，所述掩蔽區域被限定在所述切口的邊緣與待放置在所述切口之上的居中位置處的晶片邊緣之間，所述掩蔽區域包括被限定成用于在所述第一材料層和所述晶片之間形成密封的粘合劑。

15.根據權利要求8所述的晶片支撐裝置，其特征在于，所述第一和第二材料層各自被限定為非晶體膜。

16.根據權利要求15所述的晶片支撐裝置，其特征在于，所述非晶體膜是Ajedium?Victrex?PEEK、聚醚酰亞胺(PEI)、聚砜(PSU)、聚苯硫醚(PPS)或包覆上或浸漬上銅的任何前述非晶體膜。