[發明專利]表面聲波傳感器方法和系統無效
| 申請號: | 200580048204.1 | 申請日: | 2005-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN101120237A | 公開(公告)日: | 2008-02-06 |
| 發明(設計)人: | S·J·馬吉;J·Z·劉;J·D·庫克 | 申請(專利權)人: | 霍尼韋爾國際公司 |
| 主分類號: | G01L9/00 | 分類號: | G01L9/00;G01L1/16 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 張雪梅;王小衡 |
| 地址: | 美國新*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 表面 聲波 傳感器 方法 系統 | ||
1.一種傳感器系統,包含:
傳感器芯片;
至少兩個表面聲波(SAW)感測元件,其中心定位在所述傳感器芯片的第一側,其中所述至少兩個SAW感測元件占據所述傳感器芯片的所述第一側上的共用區;
被蝕刻的隔膜,其中心定位在與和所述至少兩個SAW感測元件相關聯的所述第一側相對的所述傳感器芯片的第二側,以便將機械應變集中在所述被蝕刻的隔膜中,從而提供高強度,高靈敏度以及其制造的容易度。
2.權利要求1的系統,其中所述傳感器芯片包含驅雜石英。
3.權利要求1的系統,其中所述至少兩個SAW感測元件包含其交叉指型變換器。
4.權利要求1的系統,其中所述傳感器芯片包含延遲線配置。
5.權利要求1的系統,其中所述傳感器芯片包含諧振器配置。
6.權利要求1的系統,其中所述被蝕刻的隔膜利用濕法蝕刻劑進行蝕刻。
7.權利要求1的系統,其中所述被蝕刻的隔膜利用干法蝕刻劑進行蝕刻。
8.權利要求1的系統,其中所述被蝕刻的隔膜被機械地蝕刻。
9.權利要求1的系統,其中與所述傳感器芯片相關聯的頻率的改變與所述機械應變相關。
10.權利要求1的系統,其中與所述傳感器芯片相關聯的相位的改變與所述機械應變相關。
11.權利要求1的系統,其中與所述傳感器芯片相關聯的延遲時間的改變與所述機械應變相關。
12.權利要求1的系統,其中所述至少兩個SAW感測元件包含第一SAW傳感器和第二SAW傳感器。
13.權利要求12的系統,還包含在所述傳感器芯片的所述第一側上的與所述第一SAW傳感器相關聯的第一組反射器以及與所述第二SAW傳感器相關聯的第二組反射器。
14.一種傳感器系統,包含:
傳感器芯片,其中所述傳感器芯片包含驅雜石英;
至少兩個表面聲波(SAW)感測元件,其中心定位在所述傳感器芯片的第一側,其中所述至少兩個SAW感測元件包含其交叉指型變換器并且占據在所述傳感器芯片的所述第一側上的共用區;
被蝕刻的隔膜,其中心定位在與和所述至少兩個SAW感測元件相關聯的所述第一側相對的所述傳感器芯片的第二側,以便將機械應變集中在所述被蝕刻的隔膜中,從而提供高強度,高靈敏度以及其制造的容易度。
這里所述第一組反射器與所述第二組反射器相對地延伸。
15.權利要求14的系統,其中所述傳感器芯片包含延遲線配置。
16.權利要求14的系統,其中所述傳感器芯片包含諧振器配置。
17.一種傳感器方法,包含以下步驟:
提供包含驅雜石英的傳感器芯片;
定位至少兩個表面聲波(SAW)感測元件,其中心定位在所述傳感器芯片的第一側,其中所述至少兩個SAW感測元件占據所述傳感器芯片的所述第一側上的共用區,并且其中所述至少兩個SAW感測元件包含其交叉指型變換器;
在與和所述至少兩個SAW感測元件相關聯的所述第一側相對的所述傳感器芯片的第二側上在中心蝕刻隔膜,以便將機械應變集中在所述被蝕刻的隔膜中,從而提供高強度,高靈敏度以及其制造的容易度。
18.權利要求17的方法,還包含以延遲線配置布置所述傳感器芯片的步驟。
19.權利要求17的方法,還包含以諧振器配置布置所述傳感器芯片的步驟。
20.權利要求17的方法,還包含利用濕法蝕刻劑在所述傳感器芯片的所述第二側上蝕刻所述隔膜的步驟。
21.權利要求17的方法,還包含利用干法蝕刻劑在所述傳感器芯片的所述第二側上蝕刻所述隔膜的步驟。
22.權利要求17的方法,還包含在所述傳感器芯片的所述第二側上機械地蝕刻所述隔膜的步驟。
23.權利要求17的方法,還包含以下步驟:
將所述至少兩個SAW感測元件配置成包含第一SAW傳感器和第二SAW傳感器;以及
在所述傳感器芯片的所述第一側上將第一組反射器與所述第一SAW傳感器相關聯以及將第二組反射器與所述第二SAW傳感器相關聯。
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