[發(fā)明專利]改進器件性能的雙硅化物工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200580047269.4
• 申請日: 2005-12-21
• 公開（公告）號: CN101124671A
• 公開（公告）日: 2008-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 約漢·J.·愛麗斯－蒙娜甘;戴爾·W.·馬丁;威廉·J.·墨菲;詹姆斯·S.·納考斯;科克·皮特森
• 申請（專利權(quán)）人: 國際商業(yè)機器公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L29/772;H01L29/78
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 秦晨

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

在第一器件區(qū)中具有p型器件且在第二器件區(qū)中具有n型器件的襯底；

到所述第二器件區(qū)中所述n型器件的第一型硅化物觸點；所述第一型硅化物具有與所述第二器件區(qū)中所述n型器件的導(dǎo)帶基本上對齊的功函數(shù)；以及

到所述第一器件區(qū)中所述p型器件的第二型硅化物觸點；所述第二型硅化物具有與所述第一器件區(qū)中所述p型器件的價帶基本上對齊的功函數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述第二型硅化物觸點選自PtSi，Pt₂Si，IrSi和Pd₂Si，并且第一型硅化物觸點選自CoSi₂，VSi₂，ErSi，ZrSi₂，HfSi，MoSi₂，NiSi和CrSi₂。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述第一型硅化物觸點具有基本上10^-9ohm·cm^-2至10^-7ohm·cm^-2范圍的觸點電阻，并且所述第二型硅化物觸點具有基本上10^-9ohm·cm^-2至10^-7ohm·cm^-2范圍的觸點電阻。

4.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：

在襯底的至少第一區(qū)上形成第一硅化物層，所述半導(dǎo)體襯底的所述第一區(qū)包括第一導(dǎo)電型器件，其中所述第一硅化物層具有與所述第一導(dǎo)電型器件的導(dǎo)帶基本上對齊的功函數(shù)；以及

在所述襯底的至少第二區(qū)上形成第二硅化物層，所述襯底的所述第二區(qū)包括第二導(dǎo)電型器件，其中所述第二硅化物層具有與所述第二導(dǎo)電型器件的價帶基本上對齊的功函數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中所述襯底的所述第一區(qū)包括至少一個nFET器件并且所述襯底的所述第二區(qū)包括至少一個pFET器件。

6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中所述第二硅化物層選自PtSi，Pt₂Si，IrSi和Pd₂Si，并且第一硅化物層選自CoSi₂，VSi₂，ErSi，ZrSi₂，HfSi，MoSi₂，NiSi和CrSi₂。

7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中所述第二硅化物層還包括選自Co，Er，V，Zr，Hf，Mo，Ni，Cr及其組合的材料，并且所述第一硅化物層還包括選自Pt，Pd，Ir及其組合的材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中所述在所述襯底的所述第一區(qū)上形成所述第一硅化物層還包括：

在所述襯底上形成第一防護層，所述第一防護層保護所述襯底的所述第二區(qū)并且暴露所述襯底的所述第一區(qū)；

在所述襯底的至少所述第一區(qū)上沉積第一硅化物金屬；

退火所述襯底以將所述第一硅化物金屬轉(zhuǎn)化成所述第一硅化物層；

去除所述第一防護層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中所述第一硅化物金屬選自Co，Er，V，Zr，Hf，Mo，Ni和Cr。

10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中所述在所述襯底的所述第二區(qū)上形成所述第二硅化物層還包括：

在所述襯底上形成第二防護層，所述第二防護層保護所述襯底的所述第一區(qū)并且暴露所述襯底的所述第二區(qū)；

在所述襯底的所述第二區(qū)上沉積第二硅化物金屬；

退火第二硅化物金屬以將所述第二硅化物金屬轉(zhuǎn)化成所述第二硅化物層；

去除所述第二防護層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中所述第二硅化物金屬選自Pt，Ir和Pd。

12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中所述在所述襯底的所述第二區(qū)上形成第二硅化物金屬包括在所述第二區(qū)上和在所述第一硅化物層上沉積第二硅化物金屬；以及

退火所述第二硅化物金屬以將所述第二區(qū)上的所述第二硅化物金屬轉(zhuǎn)化成所述第二硅化物層，并且將所述第一區(qū)上的所述第二硅化物金屬擴散到所述第一硅化物層中。