[發明專利]多孔低K介電膜的紫外輔助孔密封

無效

• 申請號: 200580046506.5
• 申請日: 2005-11-08
• 公開（公告）號: CN101099232A
• 公開（公告）日: 2008-01-02
• 發明（設計）人: C·沃爾弗里德;O·埃斯科爾恰;I·貝里
• 申請（專利權）人: 艾克塞利斯技術公司
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316;H01L21/3105
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 劉鍇;韋欣華

1.一種用于密封位于基體之上的多孔低k介電材料的方法，包括：

將多孔低k介電材料的表面暴露于紫外輻射圖形，其時間、強度和波 長將該多孔低k材料的表面有效密封到小于或等于20納米的深度，其中 該表面基本不含開口孔，其中將多孔低k介電材料暴露于紫外輻射圖形， 其時間、強度和波長將該多孔低k材料的表面有效密封到等于平均孔徑的 深度。

2.如權利要求1的方法，其中紫外輻射圖形包括小于400nm的寬頻 帶波長。

3.如權利要求1的方法，其中紫外輻射圖形包括100～400納米之間 的寬頻帶波長。

4.如權利要求1的方法，其中將多孔低k介電材料的表面暴露于紫 外輻射圖形一定時間、強度和波長是在反應性吹掃環境中進行的。

5.如權利要求1的方法，其中將多孔低k介電材料的表面暴露于紫 外輻射圖形是在N₂、H₂、Ar、He、Ne、H₂O蒸汽、NH₃、CO、CO₂、 O₂、O₃、C_xH_y、C_xF_y、C_xH_zF_y及其混合物的氣氛中進行的，其中x為1～ 6的整數，y為4～14的整數，z為1～14的整數。

6.如權利要求1的方法，其中將多孔低k介電材料暴露于紫外輻射 圖形，其時間、強度和波長有效將該多孔低k材料的表面密封到小于或等 于10納米的深度。

7.一種制備電互聯結構的方法，包括：

將位于基體上的多孔低k介電材料形成圖形；

將多孔低k介電材料的薄膜暴露于僅由紫外輻射組成的輻射，其時 間、強度和波長圖形將該多孔低k材料的表面有效密封到小于或等于20 納米的深度，其中該表面基本不含開口孔；以及

在形成圖形的多孔低k介電材料上沉積阻擋層和/或導電層，其中該 阻擋層基本不含針孔。

8.如權利要求7的方法，進一步包含在沉積導電層之前，在多孔低k 介電材料上沉積阻擋層。

9.如權利要求7的方法，其中該紫外輻射包括小于400納米的寬頻 帶波長。

10.如權利要求7的方法，其中該紫外暴露是在N₂、H₂、Ar、He、 Ne、H₂O蒸汽、NH₃、CO、CO₂、O₂、O₃、C_xH_y、C_xF_y、C_xH_zF_y及其混 合物的氣氛中進行的，其中x為1～6的整數，y為4～14的整數，z為1～ 14的整數。

11.一種用于密封位于基體之上的多孔低k介電材料的方法，包括：

通過將多孔低k介電材料的表面暴露于僅由紫外輻射組成的輻射圖 形，其時間、強度和波長在包含氧氣的氣氛中將該多孔低k材料的表面有 效密封到小于或等于20納米的深度，從而將多孔低k介電材料的表面氧 化。

12.如權利要求11的方法，其中該紫外輻射圖形包括小于400納米 的寬頻帶波長。

13.如權利要求11的方法，進一步包括在將多孔低k介電材料暴露 于紫外輻射之后，使該多孔低k介電材料退火。

14.一種用于密封位于基體之上的多孔低k介電材料的方法，包括：

通過將多孔低k介電材料的表面暴露于紫外輻射圖形，其時間、強度 和波長將該多孔低k材料的表面有效密封到小于或等于20納米的深度， 使多孔低k介電材料的表面碳化。