[發(fā)明專利]太陽能電池用光吸收層及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200580046447.1
• 申請日: 2005-02-03
• 公開（公告）號: CN101099243A
• 公開（公告）日: 2008-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔寅煥
• 申請（專利權(quán)）人: 銀太陽科技發(fā)展公司
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04
• 代理公司: 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 周建秋;王鳳桐

1、一種太陽能電池用光吸收層的制備方法，該方法包括以下步驟：

步驟1：通過金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積，由含有第III族元素B和第VI族元 素X的單獨(dú)前體在基底上形成結(jié)構(gòu)式為BX的化合物薄膜；

步驟2：通過金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積，將來自含有第I族金屬元素A的 前體的金屬供給所述結(jié)構(gòu)式為BX的化合物薄膜，形成結(jié)構(gòu)式為A₂X的化合 物薄膜；

步驟3：通過金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積，使用含有第III族元素C和第VI族 元素X的單獨(dú)前體在所述結(jié)構(gòu)式為A₂X的化合物薄膜上形成結(jié)構(gòu)式為ACX₂的化合物薄膜，其中，第III族元素B的原子序數(shù)大于第III族元素C；以及

步驟4：通過金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積，使用含有第III族元素B和第VI族 元素X的單獨(dú)前體在所述結(jié)構(gòu)式為ACX₂的化合物薄膜上形成結(jié)構(gòu)式為 ABX₂的化合物薄膜，由此形成第一層結(jié)構(gòu)式為ACX₂，第二層結(jié)構(gòu)式為ABX₂的多層薄膜結(jié)構(gòu)。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在步驟2中，第I族元素A的 用量大于形成結(jié)構(gòu)式為A₂X的化合物薄膜的最佳化學(xué)計(jì)量當(dāng)量比。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，該方法還包括步驟5：通過金屬有機(jī)化 學(xué)氣相沉積將來自含有第I族元素A的前體的金屬供給在步驟4中形成的第 一層結(jié)構(gòu)式為ACX₂，第二層結(jié)構(gòu)式為ABX₂的化合物薄膜，以向該薄膜補(bǔ) 充元素A，并且通過金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積，使用含有第III族元素B和第VI 族元素X的單獨(dú)前體完全形成所述第一層結(jié)構(gòu)式為ACX₂，第二層結(jié)構(gòu)式為 ABX₂的多層薄膜結(jié)構(gòu)。

4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，該方法還包括步驟6：通過金屬有機(jī)化 學(xué)氣相沉積，使用含有第III族元素C和第VI族元素X的單獨(dú)前體，在步驟5 中形成的所述第一層結(jié)構(gòu)式為ACX₂，第二層結(jié)構(gòu)式為ABX₂的多層薄膜結(jié) 構(gòu)上形成第一層結(jié)構(gòu)式為ACX₂，第二層結(jié)構(gòu)式為A(B，C)X₂的多層薄膜結(jié)構(gòu)。

5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，該方法還包括步驟7：通過金屬有機(jī)化 學(xué)氣相沉積將來自含有第I族元素A的前體的金屬供給在步驟6中形成的所 述第一層結(jié)構(gòu)式為ACX₂，第二層結(jié)構(gòu)式為A(B，C)X₂的多層薄膜結(jié)構(gòu)，以向 該多層薄膜結(jié)構(gòu)補(bǔ)充元素A，并且通過金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積，使用含有第 III族元素B和第VI族元素X的單獨(dú)前體在該多層薄膜結(jié)構(gòu)上形成結(jié)構(gòu)式為 ABX₂的化合物薄膜，由此形成第一層結(jié)構(gòu)式為ACX₂，第二層結(jié)構(gòu)式為 A(B，C)X₂，第三層結(jié)構(gòu)式為ABX₂的多層薄膜結(jié)構(gòu)。

6、根據(jù)權(quán)利要求3-5中任意一項(xiàng)所述的方法，其中，在步驟2中，所 述第I族元素A以形成結(jié)構(gòu)式為A₂X化合物薄膜的最佳化學(xué)計(jì)量當(dāng)量比來 使用。

7、根據(jù)權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述的方法，其中，所述第I族元素A 為銅，所述第III族元素B為銦，所述第III族元素C為鎵或鋁，所述第VI族 元素X為硒。