[發(fā)明專利]使用自適應(yīng)接口定時(shí)的穩(wěn)健而高速的存儲(chǔ)器存取

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200580046330.3
• 申請(qǐng)日: 2005-11-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101099216A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 德克斯特·塔米奧·春;阿吉特·帕蒂爾;伊恩·黃;賈森·詹;蒂莫西·戈?duì)柕?/a>
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 高通股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C7/10
• 分類號(hào): G11C7/10
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 王允方;劉國(guó)偉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明大體而言涉及電子電路，且更具體而言涉及用于對(duì)存儲(chǔ)器裝置進(jìn)行存取的技術(shù)。

背景技術(shù)

無(wú)線通信裝置(例如蜂窩電話)能夠提供各種通信服務(wù)，例如聲音和分組數(shù)據(jù)。更新一代的無(wú)線裝置可能還能夠提供增強(qiáng)的功能，且可用作個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、網(wǎng)絡(luò)終端機(jī)、計(jì)算裝置等。隨著無(wú)線裝置變得更加復(fù)雜且提供更多的功能和特點(diǎn)，必然需要更強(qiáng)的計(jì)算能力和更大的存儲(chǔ)器。通常需要大存儲(chǔ)器來(lái)存儲(chǔ)用于支持聲音及/或數(shù)據(jù)通信以及其他功能和特點(diǎn)的程序代碼和數(shù)據(jù)。

各種類型的存儲(chǔ)器可用于無(wú)線裝置，例如靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、同步動(dòng)態(tài)RAM(SDRAM)和閃速存儲(chǔ)器。SRAM和SDRAM是易失性存儲(chǔ)器，其在斷電時(shí)會(huì)丟失存儲(chǔ)在其中的數(shù)據(jù)。可以一隨機(jī)方式來(lái)對(duì)SRAM和SDRAM進(jìn)行存取，隨機(jī)方式是大多數(shù)處理器對(duì)存儲(chǔ)器的程序代碼和數(shù)據(jù)進(jìn)行存取的方式。因此，SRAM及/或SDRAM常用作無(wú)線裝置中的主運(yùn)行時(shí)存儲(chǔ)器。

閃速存儲(chǔ)器是非易失性存儲(chǔ)器，其在即使斷電之后仍可保留存儲(chǔ)在其中的數(shù)據(jù)。NAND閃速存儲(chǔ)器是一種類型的閃速存儲(chǔ)器，其具有高密度存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，且與其他類型的存儲(chǔ)器相比具有某些優(yōu)點(diǎn)。具體而言，NAND閃速存儲(chǔ)器具有大存儲(chǔ)容量(例如1吉比特或以上)、良好的速度以便進(jìn)行持續(xù)存儲(chǔ)器存取、及低廉的成本。然而，NAND閃速存儲(chǔ)器也具有某些固有缺點(diǎn)，例如隨機(jī)存儲(chǔ)器存取性能不佳。因此，通常以頁(yè)面為單位來(lái)對(duì)NAND閃速存儲(chǔ)器進(jìn)行存取，一次一個(gè)頁(yè)面，每一頁(yè)面具有特定大小(例如512個(gè)字節(jié))。

隨著無(wú)線裝置中的存儲(chǔ)器成本高得越來(lái)越令人無(wú)法接受，NAND閃速存儲(chǔ)器成為用作這些裝置的大容量存儲(chǔ)單元的良好候選者。然而，因?yàn)镹AND閃速存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)不適于隨機(jī)存取，所以不能直接從NAND閃速存儲(chǔ)器執(zhí)行程序代碼。相反，SRAM及/或SDRAM可用來(lái)為需要以隨機(jī)方式存取的程序代碼和數(shù)據(jù)提供運(yùn)行時(shí)存儲(chǔ)。

包含NAND閃速存儲(chǔ)器和SRAM/SDRAM二者的存儲(chǔ)器架構(gòu)能夠以較低成本提供具有隨機(jī)存取的大存儲(chǔ)容量。對(duì)于具有這一存儲(chǔ)器架構(gòu)的裝置而言，可將程序代碼裝載到NAND閃速存儲(chǔ)器中以便永久性存儲(chǔ)。在接通電源時(shí)，該裝置執(zhí)行一“引導(dǎo)”，此需要(除其他事情之外)將程序代碼從NAND閃速存儲(chǔ)器傳送到SRAM/SDRAM。因?yàn)槌绦虼a可能很大(例如幾兆比特)，引導(dǎo)時(shí)間可能很長(zhǎng)(例如約為幾秒)。引導(dǎo)時(shí)間長(zhǎng)可能導(dǎo)致用戶不滿，且對(duì)于可頻繁斷電及通電的裝置(例如蜂窩電話)，這一點(diǎn)尤其不合意。

因此，所屬技術(shù)領(lǐng)域中需要具有對(duì)NAND閃速存儲(chǔ)器進(jìn)行快速存取以便進(jìn)行數(shù)據(jù)傳送的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本文闡述使用自適應(yīng)接口定時(shí)對(duì)存儲(chǔ)器裝置(例如NAND閃速存儲(chǔ)器)進(jìn)行快速而可靠地存取的技術(shù)。通常可以較高速率而非最差情形條件(通常不會(huì)遇到)所需的慢速存儲(chǔ)器存取速率來(lái)對(duì)NAND閃速存儲(chǔ)器進(jìn)行可靠存取。存儲(chǔ)器存取速率由用于每一NAND閃速存儲(chǔ)器存取的持續(xù)時(shí)間來(lái)定義，并與其成反比關(guān)系。對(duì)于使用自適應(yīng)接口定時(shí)的存儲(chǔ)器存取，首先以初始存儲(chǔ)器存取速率來(lái)對(duì)NAND閃速存儲(chǔ)器進(jìn)行存取，初始存儲(chǔ)器存取速率可以是為實(shí)現(xiàn)快速、可靠的存儲(chǔ)器存取而預(yù)測(cè)的存儲(chǔ)器存取速率。然后使用通常為NAND閃速存儲(chǔ)器采用的糾錯(cuò)編碼(ECC)來(lái)確保NAND閃速存儲(chǔ)器的可靠存取。對(duì)于讀取操作，從NAND閃速存儲(chǔ)器每次讀取一個(gè)數(shù)據(jù)頁(yè)面，且ECC確定從NAND閃速存取器讀取的頁(yè)面是否包含任何錯(cuò)誤。如果遇到錯(cuò)誤，則選擇較慢的存儲(chǔ)器存取速率，且以該較慢的存儲(chǔ)器存取速率從NAND閃速存儲(chǔ)器再次讀取具有錯(cuò)誤的頁(yè)面。這些技術(shù)還可用于將數(shù)據(jù)寫(xiě)入NAND閃速存儲(chǔ)器。

在一實(shí)施例中，NAND閃速存儲(chǔ)器控制器包括控制單元和檢測(cè)單元。為了從NAND閃速存儲(chǔ)器讀取，控制單元獲得用于第一存儲(chǔ)器存取速率的第一(或初始)設(shè)定值。控制單元根據(jù)第一設(shè)定值產(chǎn)生各種控制信號(hào)來(lái)以第一存儲(chǔ)器存取速率從NAND閃速存儲(chǔ)器讀取第一數(shù)據(jù)頁(yè)面。檢測(cè)單元確定第一讀取數(shù)據(jù)頁(yè)面是否包含任何錯(cuò)誤。如果第一頁(yè)面包含錯(cuò)誤，則控制單元獲得用于第二存儲(chǔ)器存取速率的第二設(shè)定值，該第二存儲(chǔ)器存取速率低于第一存儲(chǔ)器存取速率。繼續(xù)進(jìn)行讀取頁(yè)面、檢查頁(yè)面是否有錯(cuò)誤、并選擇更慢的存儲(chǔ)器存取速率的過(guò)程，直到從NAND閃速存儲(chǔ)器成功讀取該頁(yè)面為止。然后，以相同方式從NAND閃速存儲(chǔ)器讀取每一相繼頁(yè)面，例如從使得成功讀取前一頁(yè)面的存儲(chǔ)器存取速率開(kāi)始。如下文所述，NAND閃速存儲(chǔ)器控制器還可以自適應(yīng)接口定時(shí)寫(xiě)入NAND閃速存儲(chǔ)器。

下文將進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的各個(gè)方面及實(shí)施例。

附圖說(shuō)明