[發明專利]通過酸性溶液進行的硅電極組件表面去污

無效

• 申請號: 200580046171.7
• 申請日: 2005-12-14
• 公開（公告）號: CN101099230A
• 公開（公告）日: 2008-01-02
• 發明（設計）人: 石洪;黃拓川;周春紅
• 申請（專利權）人: 蘭姆研究公司
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302;C11D7/32;H01L21/461
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 李帆

1.清洗已用電極組件的方法，所述電極組件包含等離子體暴露的硅表面，該方法包括使硅表面與包含如下成分的酸性清洗溶液接觸：

氫氟酸；

硝酸；

醋酸；和

余量的去離子水；并且其中污染物被由硅表面除去；此外其中硅表面不變色。

2.權利要求1的方法，其中所述酸性溶液刻蝕硅表面。

3.權利要求2的方法，其中氫氟酸的存在量使得以擴散控制過程刻蝕硅表面。

4.權利要求1的方法，其中氫氟酸和硝酸以由硅表面去除污染物的有效的量存在。

5.權利要求1的方法，其中硝酸由硅表面除去選自下述的污染物：Al、Ca、Cr、Cu、Fe、K、Li、Mg、Mo、Na、Ni、Ti、Zn以及它們的組合。

6.權利要求1的方法，其中硝酸以將選自如下的污染物氧化的有效的量存在：Al、Ca、Cr、Cu、Fe、K、Li、Mg、Mo、Na、Ni、Ti、Zn以及它們的組合。

7.權利要求1的方法，其中硝酸以與選自如下的污染物形成離子的有效的量存在：Al、Ca、Cr、Cu、Fe、K、Li、Mg、Mo、Na、Ni、Ti、Zn以及它們的組合。

8.權利要求1的方法，其中硝酸的存在量不會引起硅表面變色。

9.權利要求1的方法，其中硝酸將硅氧化形成氧化的硅。

10.權利要求9的方法，其中氫氟酸將氧化的硅溶解。

11.權利要求1的方法，其中醋酸以控制硝酸的氧化作用的有效的量存在。

12.權利要求1的方法，其中醋酸以避免硅表面變色的有效的量存在。

13.權利要求1的方法，其中醋酸與污染物形成絡合離子。

14.權利要求1的方法，其中所述接觸包括用酸性溶液擦拭硅表面。

15.權利要求1的方法，其中所述電極組件是具有出氣口的噴頭狀電極。

16.權利要求1的方法，其中所述硅表面被彈性體結合到石墨背襯元件。

17.權利要求16的方法，其中所述石墨背襯元件包含安裝孔。

18.權利要求1的方法，其中電極組件包含被外電極元件圍繞的內電極。

19.權利要求18的方法，其中所述外電極元件包含以環形布局排列的硅片段。

20.權利要求1的方法，其中所述硅表面是單晶硅。

21.依據權利要求1的清洗溶液。

22.權利要求21的清洗溶液，其中氫氟酸的存在量為0.25-1體積％。

23.權利要求21的清洗溶液，其中硝酸的存在量為10-40體積％。

24.權利要求21的清洗溶液，其中醋酸的存在量為10-20體積％。

25.依據權利要求1的方法清洗過的電極組件。

26.使用權利要求1的清洗電極組件在等離子體刻蝕腔中刻蝕電介質材料的方法。