[發(fā)明專利]含硅感光性組合物、使用該組合物的薄膜圖案的制造方法、電子機(jī)器用保護(hù)膜、柵極絕緣膜和薄膜晶體管

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200580045961.3
• 申請日: 2005-12-28
• 公開（公告）號: CN101099113A
• 公開（公告）日: 2008-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 松川公洋;松浦幸仁;東賢一;中村秀;日下康成
• 申請（專利權(quán)）人: 積水化學(xué)工業(yè)株式會社;松川公洋;松浦幸仁
• 主分類號: G03F7/075
• 分類號: G03F7/075;G11C11/42;G02B5/20;H01L21/027;G03F7/004;H01L21/336;G03F7/038;H01L29/786
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 張平元

1.一種含硅感光性組合物，該組合物含有：

至少一種含硅聚合物(A1)，其具有下述通式(1)表示的結(jié)構(gòu)，R₁₁～R_1n中的至少之一為H，和

化合物(B)，其通過活化光線或放射線照射產(chǎn)生酸或堿，

[化2]

聚合物(A1)

...(式1)

(式中，R₁₁～R_1n中的至少之一為H，n為1以上的整數(shù))。

2.權(quán)利要求1所述的含硅感光性組合物，其中，將上述含硅聚合物(A1)的重均分子量作為Mw，并將上述含硅聚合物(A1)中的取代基R₁₁～R_1n的總量作為100摩爾％時，取代基H的比例對應(yīng)于重均分子量Mw在后述的圖5的虛線A包圍的范圍內(nèi)。

3.權(quán)利要求1所述的含硅感光性組合物，該組合物還包含至少一種聚合物(A2)，其用下述通式(2)表示，R₂₁～R_2n為H以外的原子或官能團(tuán)，

[化3]

聚合物(A2)

...式(2)

(式中，R₂₁～R_2n為H以外的原子或官能團(tuán)，n為1以上的整數(shù))。

4.權(quán)利要求3所述的含硅感光性組合物，其中，將上述含硅聚合物(A1)和含硅聚合物(A2)的重均分子量作為Mw，將上述含硅聚合物(A1)和(A2)中的取代基R₁₁～R_1n和R₂₁～R_2n的總量作為100摩爾％時，取代基H的比例對應(yīng)于重均分子量Mw為圖5的虛線A所示的范圍。

5.權(quán)利要求1～4中任意一項所述的含硅感光性組合物，其中，上述化合物(B)為選自鹽、重氮鹽以及磺酸酯中的至少1種化合物。

6.權(quán)利要求1～5中任意一項所述的含硅感光性組合物，其中，上述化合物(B)為通過照射活化光線或放射線產(chǎn)生堿的胺化酰亞胺化合物。

7.薄膜圖案的制造方法，該方法包括以下工序：

在基板上形成包含權(quán)利要求1～6中任意一項所述的含硅感光性組合物的感光性組合物層的工序，

用活化光線或放射線對形成于上述感光性組合物層的圖案進(jìn)行選擇性曝光，形成圖案狀的潛像的工序，和

用顯影液將形成了上述潛像的上述感光性組合物層顯影，得到薄膜圖案的工序。

8.一種電子機(jī)器用保護(hù)膜，其使用權(quán)利要求1～6中任意一項所述的含硅感光性組合物形成。

9.一種晶體管，其包括使用權(quán)利要求1～6中任意一項所述的含硅感光性組合物形成的薄膜作為保護(hù)膜。

10.一種濾色器，其包括使用權(quán)利要求1～6中任意一項所述的含硅感光性組合物形成的薄膜作為保護(hù)膜。

11.一種有機(jī)EL元件，其包括使用權(quán)利要求1～6中任意一項所述的含硅感光性組合物形成的薄膜作為保護(hù)膜。

12.一種柵極絕緣膜，其用于場效應(yīng)型晶體管，其包含使用權(quán)利要求1～6中任意一項所述的含硅感光性組合物形成的薄膜。

13.一種薄膜晶體管，其是包含：半導(dǎo)體層、與半導(dǎo)體層連接設(shè)置的源電極和漏電極、柵極、配置在柵極和半導(dǎo)體層之間的柵極絕緣膜的場效應(yīng)型薄膜晶體管，其中，上述柵極絕緣膜由使用權(quán)利要求1～6中任意一項所述的含硅感光性組合物形成的薄膜構(gòu)成。

14.一種薄膜晶體管，其是包含：半導(dǎo)體層、與半導(dǎo)體層連接設(shè)置的源電極和漏電極、柵極、配置在柵極和半導(dǎo)體層之間的柵極絕緣膜、鈍化膜的場效應(yīng)型薄膜晶體管，其中，上述鈍化膜是使用權(quán)利要求1～6中任意一項所述的含硅感光性組合物形成的薄膜。