[發(fā)明專利]具有嵌入的微晶的波長轉(zhuǎn)換層無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200580045950.5 | 申請日: | 2005-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN101111801A | 公開(公告)日: | 2008-01-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | H·蒙克;G·休斯勒 | 申請(專利權(quán))人: | 皇家飛利浦電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/35 | 分類號: | G02F1/35 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李靜嵐;譚祐祥 |
| 地址: | 荷蘭艾*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 嵌入 波長 轉(zhuǎn)換 | ||
1.一種波長轉(zhuǎn)換層,其具有基質(zhì)層,所述基質(zhì)層包含嵌入的稀土離子摻雜的微晶和/或稀土離子摻雜非晶微粒,其中所述稀土離子摻雜的微晶和/或稀土離子摻雜的非晶微粒用至少鑭系元素之一摻雜,其中所述稀土離子摻雜的微晶和/或摻雜的非晶微粒具有10nm到500μm的平均直徑d50,且其中所述基質(zhì)層是透明的,由此對在400nm-1200nm范圍內(nèi)的至少一個波長,所述稀土離子摻雜的微晶和/或所述稀土離子摻雜的非晶微粒的折射率與所述基質(zhì)層的折射率匹配,Δn≥0且Δn≤0.1.
2.根據(jù)權(quán)利要求1的波長轉(zhuǎn)換層,其中所述基質(zhì)層包含基于所述基質(zhì)層的體積分?jǐn)?shù)為0.1vol.%到50vol.%的所述稀土離子摻雜的微晶和/或稀土離子摻雜的非晶微粒,所述體積分?jǐn)?shù)優(yōu)選為0.5vol.%到20vol.%,更優(yōu)選為1vol.%到15vol.%,最優(yōu)選為5vol.%到10vol.%;和/或體積分?jǐn)?shù)為0.1wt.%到50wt.%,優(yōu)選為0.5wt.%到20wt.%,更優(yōu)選為1wt.%到15wt.%,最優(yōu)選為5wt.%到10wt.%.
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的波長轉(zhuǎn)換層,其中稀土離子的微晶優(yōu)選地從YLF、YAG、LiLuF4、BaY2F8、SrF2、LaCl3、KPb2Cl5和/或LaBr3組成的組中選擇,由此稀土離子的微晶優(yōu)選地呈現(xiàn)立方對稱。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中任何一個的波長轉(zhuǎn)換層,其中對于發(fā)射波長,所述稀土離子摻雜的微晶和/或稀土離子摻雜的非晶微粒的折射率與所述基質(zhì)層的折射率匹配,具有Δn≥0且Δn≤0.01,優(yōu)選地≤0.005,更優(yōu)選地≤0.001;和/或?qū)τ诩ぐl(fā)波長,所述稀土離子摻雜的微晶和/或稀土離子摻雜的非晶微粒的折射率與所述基質(zhì)層的折射率匹配,具有Δn≥0且Δn≤0.1,優(yōu)選為≤0.05,更優(yōu)選為≤0.01。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任何一個的波長轉(zhuǎn)換層,其中所述基質(zhì)層具有的熔點(diǎn)低于所述稀土離子摻雜的微晶和/或稀土離子摻雜的非晶微粒的熔點(diǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1到5中任何一個的波長轉(zhuǎn)換層,其中所述波長轉(zhuǎn)換層的厚度和長度比為1∶100到1∶100000,優(yōu)選為1∶1000到1∶70000,更優(yōu)選為1∶5000到1∶50000。
7.根據(jù)權(quán)利要求1到6中任何一個的波長轉(zhuǎn)換層,其中所述基質(zhì)層的至少一個外表面包含嵌入的稀土離子摻雜的微晶和/或稀土離子摻雜的非晶微粒,并且涂覆有中間層,該中間層沒有嵌入的稀土離子摻雜的微晶和/或稀土離子摻雜的非晶微粒,其中所述基質(zhì)層優(yōu)選地夾在所述中間層之間,由此所述中間層的折射率與所述基質(zhì)層的折射率匹配,具有Δn≥0且Δn≤0.1,優(yōu)選為≤0.01,更優(yōu)選為≤0.005,最優(yōu)選為≤0.001,且至多所述中間層和所述基質(zhì)層的材料的折射率是相同的。
8.根據(jù)權(quán)利要求1到7中任何一個的波長轉(zhuǎn)換層,其中所述中間層或所述基質(zhì)層的外表面被涂覆有涂層,和/或其中所述基質(zhì)層的下外表面被涂覆有涂層,由此所述涂層的材料和所述中間層和/或基質(zhì)層的材料不同,且由此所述涂層具有比所述相鄰的中間層和/或基質(zhì)層的折射率低的折射率。
9.半導(dǎo)體光源,優(yōu)選為LED、OLED和/或激光器,由此所述激光器優(yōu)選地從由紅外激光器、藍(lán)光激光器和紫外激光器組成的組中選擇,所述半導(dǎo)體光源包含根據(jù)權(quán)利要求1到8中任意一個的至少一個波長轉(zhuǎn)換層。
10.一種包含根據(jù)權(quán)利要求9的至少一個半導(dǎo)體光源的系統(tǒng),用于下列應(yīng)用中的一個或多個:
激光燈,
LED燈,
OLED燈,
商店照明,
家庭照明,
頭燈,
重點(diǎn)照明,
局部照明,
劇院照明,
辦公照明,
工作場所照明,
汽車前照燈,
汽車輔助照明,
汽車室內(nèi)照明,
消費(fèi)者TV應(yīng)用,
光纖應(yīng)用,和
投影系統(tǒng)。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
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