[發明專利]基于納米管的流體界面材料和方法

無效

• 申請號: 200580045605.1
• 申請日: 2005-11-04
• 公開（公告）號: CN101095227A
• 公開（公告）日: 2007-12-26
• 發明（設計）人: 克里斯·懷蘭;亨德里克斯·約翰內斯·喬卡布斯·托嫩
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/373
• 分類號: H01L23/373
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 朱進桂

1.一種集成電路芯片結構(100)，包括：集成電路芯片(120)；鄰近集成電路芯片的導熱器件(140)；和緊鄰集成電路芯片的界面區域(130)，所述界面區域包含在流體混合物中的碳納米管材料，該碳納米管材料與流體混合物配置和布置以熱耦合集成電路芯片和導熱器件之間的熱。

2.按照權利要求1所述的結構，其中所述碳納米管材料包含碳納米管粉體、單壁碳納米管和多壁碳納米管中的至少一種。

3.按照權利要求1所述的結構，其中所述流體混合物包含環氧樹脂、低粘度粘合劑、油脂、醇和油的至少一種。

4.按照權利要求3所述的結構，其中所述流體混合物為與足夠的流體混合的碳納米管材料，以使該碳納米管材料流動。

5.按照權利要求1所述的結構，其中所述集成電路芯片具有表現出表面粗糙度的上表面，并且其中所述碳納米管材料足夠小，以流入該上表面的凹進區域。

6.按照權利要求1所述的結構，其中所述碳納米管材料包含碳納米管，所述碳納米管在通常平行于集成電路芯片和導熱器件之間所需的熱傳遞路徑的方向上取向。

7.按照權利要求6所述的結構，其中所述碳納米管材料在集成電路芯片和導熱器件之間的流體混合物的流動方向上取向。

8.按照權利要求6所述的結構，其中所述碳納米管是磁化的。

9.按照權利要求8所述的結構，其中所述碳納米管在磁場的方向上取向。

10.按照權利要求1所述的結構，其中所述碳納米管材料包括不同的按大小分過的碳納米管材料。

11.按照權利要求10所述的結構，其中所述碳納米管材料包括可以流入表面空隙中的按大小分過的碳納米管粉體，以及碳納米管。

12.按照權利要求11所述的結構，其中所述碳納米管材料包含碳納米管鏈。

13.按照權利要求1所述的結構，其中選擇在流體混合物中的碳納米管材料的濃度，以獲得該流體混合物所需的導熱性。

14.按照權利要求1所述的結構，其中所述流體混合物具有作為其中的碳納米管濃度的函數的電導率。

15.按照權利要求14所述的結構，其中所述流體混合物具有足夠高的電導率，以在集成電路芯片和導熱器件之間導電。

16.按照權利要求14所述的結構，其中所述流體混合物具有足夠低的電導率，以抑制集成電路芯片和導熱器件之間的導電性。

17.一種用于與導熱材料交界的集成電路芯片結構(200)，所述結構包含：具有粗糙上表面(221)的集成電路芯片(220)；和在上表面上的界面材料(230)，所述界面材料包含：流體基質；和碳納米管材料(232)，該碳納米管材料混合在流體基質中并且適合于流入相對于所述粗糙上表面其它部分凹進的粗糙上表面區域中。

18.按照權利要求17所述的集成電路芯片結構，其中所述的界面材料還適合于流入在界面材料上安置的熱傳導器件的凹進區域。

19.按照權利要求17所述的集成電路芯片結構，其中所述的界面材料具有導熱特性，該特性作為其中的碳納米管材料的量的函數而變化。

20.按照權利要求17所述的集成電路芯片結構，其中所述的界面材料具有在集成電路的粗糙上表面上方的頂面，該頂面相對于粗糙上表面是光滑的，并且適合于與導熱器件交界。