[發明專利]用于用晶片制造半導體芯片的方法

有效

• 申請號: 200580045426.8
• 申請日: 2005-11-07
• 公開（公告）號: CN101095222A
• 公開（公告）日: 2007-12-26
• 發明（設計）人: R·施皮茨;A·格拉赫;F·哈恩
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L29/866
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 曾立

1.用于用包含多個半導體芯片(2)的晶片(1)制造半導體芯片(2)、特別是ZR-二極管芯片的方法，其特征在于，在晶片表面產生給定折斷部(14)，并且將該晶片(1)沿著這些給定折斷部(14)折斷，以便將這些半導體芯片(2)分離。

2.根據權利要求1的方法，其特征在于，這些給定折斷部(14)作為線形的凹槽形式來實現。

3.根據權利要求1或2的方法，其特征在于，在該晶片(1)的折斷之后不再-或者只是略微地-將這些半導體芯片(2)的側面的折斷邊緣(12)進行再處理，以便去除晶體缺陷。

4.根據上述權利要求之一所述的方法，其特征在于，將其用于具有pn結(4-3)的半導體芯片(2)，所述pn結(4-3)一直達到所述半導體芯片(2)的側面邊緣(15)。

5.根據上述權利要求之一所述的方法，其特征在于，這些給定折斷部(14)的深度(c)小于位于所述半導體芯片(2)的側面的邊緣區域中的pn結(4-3)的深度(d)。

6.根據上述權利要求之一所述的方法，其特征在于，將這些給定折斷部(14)鋸割到晶片表面中。

7.根據上述權利要求之一所述的方法，其特征在于，在該晶片(1)的正面(9)中產生這些給定折斷部(14)。

8.根據權利要求1至6之一所述的方法，其特征在于，在正面(9)和背面(10)中產生這些給定折斷部(14)。

9.根據上述權利要求之一所述的方法，其特征在于，這樣選擇這些給定折斷部(14)相對于該晶片(1)的晶體結構的取向，使得它們與容易被折斷的晶面平行地延伸。

10.根據上述權利要求之一所述的方法，其特征在于，將設置有給定折斷部的晶片(1)在所述芯片(2)的分離之前粘貼到一個薄膜上。

11.具有半導體芯片(2)的半導體器件，特別是Z-二極管，所述半導體芯片具有一直達到該芯片(2)的側面邊緣(15)的pn結(4-3)并且用一個晶片(1)來制造，其特征在于，該半導體芯片(2)具有側面的折斷面(12)，這些折斷面不被再處理或者僅僅被略微地再處理，以便去除晶體缺陷。

12.根據權利要求11的半導體器件，其特征在于，所述半導體芯片(2)在其側面邊緣(15)上具有晶片給定折斷部(14)的標記。