[發(fā)明專利]使用含堿層的過程和光電裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200580045182.3
• 申請日: 2005-11-10
• 公開（公告）號: CN101443929A
• 公開（公告）日: 2009-05-27
• 發(fā)明（設計）人: 約翰·R·塔特爾
• 申請（專利權(quán)）人: 德斯塔爾科技公司
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司
• 代理人: 王允方;劉國偉

1.一種用于光電裝置的混合相半導體源層，其包含半導體層和堿性材料，其中所述半導體層和所述堿性材料分別被合成再混合，接著沉積在襯底上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合相半導體源層，其中所述半導體層是通過傳遞I、III和VI型前體金屬而形成的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合相半導體源層，其中所述堿性材料是Na-VII或Na₂-VII。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合相半導體源層，其中所述混合物是在環(huán)境溫度和10^-6-10^-2托的壓力下沉積的。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合相半導體源層，其中所述混合物被熱處理到400℃-600℃的溫度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合相半導體源層，其中所述混合相半導體源層的厚度在150nm與500nm之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合相半導體源層，其中所述混合相半導體源層含有5.0到約15.0重量％的堿金屬含量。

8.一種用于光電裝置的混合相半導體源層，其包含半導體層和堿性材料，其中所述半導體層和所述堿性材料分別被合成再被共同沉積在襯底上。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的混合相半導體源層，其中所述半導體層是通過傳遞I、III和VI型前體金屬而形成的。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的混合相半導體源層，其中所述堿性材料是Na-VII或Na₂-VII。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的混合相半導體源層，其中所述半導體層和所述堿性材料是在環(huán)境溫度和10^-6-10^-2托的壓力下沉積的。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的混合相半導體源層，其中所述半導體層和所述堿性材料在400℃-600℃的溫度下被熱處理。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的混合相半導體源層，其中所述混合相半導體源層的厚度在150nm與500nm之間。

14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的混合相半導體源層，其中所述混合相半導體源層含有5.0到約15.0重量％的堿金屬含量。

15.一種用于光電裝置的混合相半導體源層，其包含半導體層和堿性材料，其中所述半導體層和所述堿性材料被共同沉積在襯底上且接著被合成為合金混合物。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的混合相半導體源層，其中所述半導體層是通過傳遞I、III和VI型前體金屬而形成的。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的混合相半導體源層，其中所述堿性材料是Na-VII或Na₂-VII。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的混合相半導體源層，其中所述半導體層和所述堿性材料是在環(huán)境溫度和10^-6-10^-2托的壓力下沉積的。

19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的混合相半導體源層，其中所述半導體層和所述堿性材料在400℃-600℃的溫度下被熱處理。

20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的混合相半導體源層，其中所述混合相半導體源層的厚度在150nm與500nm之間。

21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的混合相半導體源層，其中所述混合相半導體源層含有5.0到約15.0重量％的堿金屬含量。

22.一種用于光電裝置的混合相半導體源層，其包含半導體層和堿性材料，其中所述半導體層和所述堿性材料經(jīng)循序沉積，接著被合成為合金混合物。

23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的混合相半導體源層，其中所述半導體層是通過傳遞I、III和VI型前體金屬而形成的。

24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的混合相半導體源層，其中所述堿性材料是Na-VII或Na₂-VII。

25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的混合相半導體源層，其中所述半導體層和所述堿性材料是在環(huán)境溫度和10^-6-10^-2托的壓力下沉積的。