[發明專利]塑料導電顆粒及其制備方法

無效

• 申請號: 200580045158.X
• 申請日: 2005-12-28
• 公開（公告）號: CN101091224A
• 公開（公告）日: 2007-12-19
• 發明（設計）人: 閔丙勛;金敬欽;金承范;李成秀;樸京培;金南潔;柳秉宰
• 申請（專利權）人: 東部HITEK株式會社
• 主分類號: H01B1/00
• 分類號: H01B1/00
• 代理公司: 沈陽科苑專利商標代理有限公司
• 代理人: 許宗富;周秀梅

1.一種塑料導電顆粒，包括：

塑料芯球，具有高壓縮彈性模量400～550kgf/mm²；

鎳鍍層，成型在所述芯球上，厚度為0.1～10μm；

焊接層，成型在鎳電鍍層上，厚度為1～100μm，其成份選自：Sn-Pb，Sn-Ag，Sn，Sn-Cu，Sn-Zn，及Sn-Bi中之一。

2.按照權利要求1所述塑料導電顆粒，進一步包括在所述鎳鍍層上成型的、厚度為0.1～10μm的銅鍍層，以提供鎳/銅電鍍層。

3.按照權利要求1所述塑料導電顆粒，為球形，且其外徑為2.5μm～1mm。

4.按照權利要求1所述塑料導電顆粒，其中所述塑料芯球的制備是先通過將聚合單體加入疏水性粘土礦物質的分層結構中制備用聚合單體取代了的納米粘土合成物，然后用懸浮聚合方法將納米粘土合成物均一地分散開，從而擁有其5％的熱分解溫度為250～330℃特性，在上述溫度范圍內沒探測出玻璃化轉變濕度或熔化溫度，且具有400～550kgf/mm²高的壓縮彈性模量。

5.按照權利要求1所述塑料導電顆粒，其中所述塑料芯球是均一分散納米粘土合成物于其內的聚苯乙烯顆粒。

6.按照權利要求1所述塑料導電顆粒，其中塑料導電顆粒外徑為10μm～1mm，包括：

具有400～550kgf/mm²高壓縮彈性模量的塑料芯球；

在塑料芯球上成型的、厚度為0.1～10μm的鎳鍍層；及

在鎳鍍層上成型的、1～100μm的焊接層，成份為60～70％Sn-30～40％Pb。

7.按照權利要求1所述塑料導電顆粒，其中塑料導電顆粒外徑為10μm～1mm，包括：

具有高的壓縮彈性模數為400～550kgf/mm²的塑料芯球；

在塑料芯球上成型的、厚度為0.1～10μm的鎳鍍層；及

在鎳鍍層上成型的、1～100μm的焊接層，成份為96～97％Sn-3.0～4.0％Ag。

8.按照權利要求6或7所述塑料導電顆粒，進一步包括在鎳鍍層上成型的、厚度為0.1～10μm的銅鍍層，用以提供鎳/銅電鍍層。

9.一種塑料導電顆粒的制備方法，包括：

1)制備具有高壓縮彈性模量的塑料芯球，其內均一分散有納米粘土合成物；

2)通過刻蝕對所述塑料芯球表面進行表面處理；

3)用含有SnCl₂的預處理溶液和含有PdCl₂的預處理溶液，吸附Sn和Pd至塑料芯球表面；

4)用鎳鍍液成型鎳鍍層于吸附了的塑料芯球表面，厚度為0.1～10μm厚度，得塑料芯球；

5)將塑料芯球與0.1mm～3.0cm鋼球混合在一起，重量比率為1∶2～1∶20；

6)用電鍍液電鍍混合后的塑料芯球形成焊接劑層，電鍍液選自以下一組之一：Sn-Pb、Sn-Ag、Sn、Sn-Cu、Sn-Zn和Sn-Bi。

10.按照權利要求9所述方法，進一步包括在形成鎳鍍層后、采用銅鍍液、在鎳鍍層上成型厚度為0.1～10μm的銅鍍層。

11.按照權利要求9所述方法，其中步驟2)的操作是：將塑料芯球浸入刻蝕液中，所述刻蝕液主要包括50～300g/L鉻酸和10～100g/L高錳酸鉀，然后在60～90℃溫度下、對塑料芯球表面進行1～2小時刻蝕處理。

12.按照權利要求9所述方法，其中步驟3)所用預處理液是通過添加SnCl₂至含有鹽酸、水和表面活性劑的合成物中，及添加PdCl₂到所述合成物制得。

13.按照權利要求9所述方法，其中步驟4)中的鎳鍍層的形成是通過使用鎳鍍液經化學鍍過程，所述鎳鍍液包含作為還原劑的硫酸鎳、乙酸鈉、馬來酸、亞磷酸鈉，作為穩定劑的硫代硫酸鈉、乙酸鉛，和作為表面活性劑的triton?X-100。

14.按照權利要求10所述方法，其中所述銅鍍層是通過使用銅鍍液進行化學鍍而形成的，所述銅鍍溶液包括作為還原劑的硫酸銅、乙二胺四乙酸、2，2-雙吡啶、甲醛，和作為表面活性劑的PEG-1000。