[發明專利]高強度四相合金鋼

有效

• 申請號: 200580044991.2
• 申請日: 2005-11-29
• 公開（公告）號: CN101090987A
• 公開（公告）日: 2007-12-19
• 發明（設計）人: G·J·庫辛斯基;G·托馬斯
• 申請（專利權）人: MMFX技術股份有限公司
• 主分類號: C22C38/18
• 分類號: C22C38/18;C22C38/34;C22C38/38;C21D6/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 余穎

1.生產高強、高延展、抗腐蝕碳素鋼的方法，包括：

(a)將合金組合物加熱至這樣的溫度，該溫度高得足以形成含有無馬氏體的奧氏體相的起始微結構，所述合金組合物的馬氏體轉變起始溫度為至少330℃且由鐵與合金元素構成，所述合金元素由0.03-0.35％碳，1.0-11.0％鉻，至多2.0％錳和可選的0.1-3％硅構成；

(b)冷卻所述起始微結構，冷卻的條件使得起始微結構轉化為含奧氏體、鐵素體和碳化物的中間微結構，所述中間微結構包含相鄰的奧氏體相和鐵素體相，鐵素體內部分散有碳化物沉淀，但相邊界處沒有碳化物沉淀；

(c)冷卻所述中間微結構，冷卻的條件使得中間微結構轉化為包含馬氏體、奧氏體、鐵素體和碳化物的最終微結構，所述最終微結構包含馬氏體-奧氏體區，與馬氏體-奧氏體區相鄰的鐵素體區和分散于鐵素體區內部的碳化物沉淀，所述馬氏體-奧氏體區由馬氏體板條和與之交替排列的奧氏體薄膜構成，所述馬氏體板條與所述奧氏體薄膜之間的界面處或者所述鐵素體區與所述馬氏體-奧氏體區之間的界面處沒有碳化物沉淀。

2.如權利要求1所述的方法，所述碳化物沉淀的最長尺寸為150nm或更小。

3.如權利要求1所述的方法，所述碳化物沉淀的最長尺寸為50-150nm。

4.如權利要求1所述的方法，所述起始微結構由奧氏體構成。

5.如權利要求1所述的方法，所述合金組合物的馬氏體轉變起始溫度為至少350℃。

6.如權利要求1所述的方法，所述起始微結構不含碳化物。

7.如權利要求1所述的方法，所述合金元素還包含0.1-3％硅。

8.一種由鐵和合金元素構成的合金碳素鋼，所述合金元素由0.03-0.35％碳，1.0-11.0％鉻，至多2.0％錳和可選的0.1-3％硅構成，所述合金碳素鋼具有由馬氏體-奧氏體區，與馬氏體-奧氏體區相鄰的鐵素體區和分散于鐵素體區內部的碳化物沉淀組成的微結構，所述馬氏體-奧氏體區由馬氏體板條和與之交替排列的奧氏體薄膜構成，所述馬氏體板條與所述奧氏體薄膜之間的界面處或者所述鐵素體區與所述馬氏體-奧氏體區之間的界面處沒有碳化物沉淀。

9.如權利要求8所述的合金碳素鋼，所述微結構還包含無碳化物沉淀的鐵素體區。

10.如權利要求8所述的合金碳素鋼，所述馬氏體-奧氏體區不含碳化物沉淀。

11.如權利要求8所述的合金碳素鋼，所述微結構由馬氏體-奧氏體區，與馬氏體-奧氏體區相鄰的鐵素體區和分散于鐵素體區內部的碳化物沉淀構成，所述馬氏體-奧氏體區由馬氏體板條和與之交替排列的奧氏體薄膜構成，所述馬氏體板條與所述奧氏體薄膜之間的界面處或者所述鐵素體區與所述馬氏體-奧氏體區之間的界面處沒有碳化物沉淀。

12.如權利要求8所述的合金碳素鋼，所述合金元素還包含0.1-3％硅。

13.如權利要求8所述的合金碳素鋼，所述微結構包含直徑為10微米或更小的晶粒，各晶粒包含馬氏體-奧氏體區和與之相鄰的鐵素體區。

14.如權利要求8所述的合金碳素鋼，所述碳化物沉淀的最長尺寸為150nm或更小。

15.如權利要求8所述的合金碳素鋼，所述碳化物沉淀的最長尺寸為50-150nm。