[發明專利]具有內置熱電冷卻器的微電子組件及其制造方法

有效

• 申請號: 200580044924.0
• 申請日: 2005-12-27
• 公開（公告）號: CN101091246A
• 公開（公告）日: 2007-12-19
• 發明（設計）人: M·法拉哈尼;G·克萊斯勒;K·弗魯特希
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L23/38
• 分類號: H01L23/38;H01L35/28
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 王英

1.一種制造微電子組件的方法，該微電子組件包含內置TEC和耦合到該TEC的微電子裝置，該方法包括：

提供所述微電子裝置；

將所述TEC直接制造到所述微電子裝置上，使得在所述TEC和所述微電子裝置之間不存在安裝材料。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述TEC包括：包含N型電極、P型電極的至少一個熱電偶；將所述熱電偶的所述N型電極和所述P型電極相互電耦合的多個導電元件；以及所述導電元件中的相應導電元件、所述N型電極中的相應N型電極和所述P型電極中的相應P型電極之間的圖形化電絕緣體層。

3.如權利要求2所述的方法，其中制造所述TEC包括：

將多個第一導電元件直接設置在所述微電子裝置上；

提供多個N型電極，其各自電耦合到所述第一導電元件中的相應一個；

提供多個P型電極，每一個P型電極電耦合到所述第一導電元件中的相應一個，耦合到所述第一導電元件中的每一個給定的第一導電元件的N型電極和P型電極一起形成N型和P型電極對；

在所述第一導電元件中的相應第一導電元件、所述N型電極中的相應N型電極和所述P型電極中的相應P型電極之間提供圖形化電絕緣體層；以及

提供多個第二導電元件，使得每一個所述第二導電元件適合于允許電流串行流過相應的N型和P型電極對。

4.如權利要求3所述的方法，其中提供多個第一導電元件包括：

將第一導電層直接設置在所述微電子裝置上；以及

在所述第一導電層中提供互連圖形，以產生所述多個第一導電元件。

5.如權利要求4所述的方法，其中提供第一導電層包括使用電鍍、濺射和蒸發中的一種沉積所述第一導電層。

6.如權利要求4所述的方法，其中提供所述互連圖形包括使用光刻。

7.如權利要求3所述的方法，其中提供多個N型電極包括：

在第一圖形化金屬化層上提供TE材料的N型層；以及

在所述N型層中提供電極圖形以產生所述多個N型電極。

8.如權利要求7所述的方法，其中提供TE材料的N型層包括使用CVD或PVD中的一種來沉積TE材料前體。

9.如權利要求7所述的方法，其中在所述TE材料前體沉積之前其注入有摻雜劑。

10.如權利要求7所述的方法，還包括在其沉積之后注入所述TE材料。

11.如權利要求7所述的方法，其中在所述N型層中提供電極圖形包括使用光刻。

12.如權利要求3所述的方法，其中提供圖形化電絕緣體層包括：

在所述N型電極上以及在所述第一導電元件上提供電絕緣體層；以及

在所述電絕緣體層中提供電極圖形以在其中限定通孔，所述電極圖形與將要作為所述TEC的一部分而被提供的P型電極的圖形對應。

13.如權利要求12所述的方法，其中提供所述電絕緣體層包括使用CVD沉積Teox前體和旋轉沉積可流動氧化物前體中的一種。

14.如權利要求12所述的方法，其中提供所述電極圖形包括使用光刻。

15.如權利要求12所述的方法，其中提供所述多個P型電極包括：

在限定于所述電絕緣體層中的通孔中提供多個TE材料的P型柱；以及

回蝕刻所述TE材料的P型柱以產生所述多個P型電極。

16.如權利要求15所述的方法，其中提供多個P型柱包括使用CD或PVD中的一種來沉積TE材料前體。

17.如權利要求16所述的方法，其中在所述TE材料前體沉積之前，其注入有摻雜劑。

18.如權利要求16所述的方法，還包括在其沉積之后注入所述TE材料。

19.如權利要求3所述的方法，其中提供多個第二導電元件包括：

在所述N型電極和P型電極上提供第二導電層；以及

在所述第二導電層中提供互連圖形，以產生多個第二導電元件。

20.如權利要求19所述的方法，其中提供第二導電層包括使用電鍍、濺射和蒸發中的一種沉積所述第二導電層。