[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200580044835.6
• 申請(qǐng)日: 2005-12-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101088158A
• 公開(kāi)（公告）日: 2007-12-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 加藤清;守屋芳隆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號(hào): H01L21/822
• 分類號(hào): H01L21/822;H01L27/04;G06K19/07;G06K19/077
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 龐立志;韋欣華

1.一種半導(dǎo)體裝置，其包括：

在基材上提供的元件形成層；和

連接到元件形成層的天線，

其中用作天線的導(dǎo)電薄膜形成在與用于存儲(chǔ)元件的導(dǎo)電薄膜相同的層上，

所述天線以線圈排列，以及

元件形成層具有電源導(dǎo)線和接地導(dǎo)線；和

電源導(dǎo)線和接地導(dǎo)線中的至少一個(gè)以非環(huán)形排列。

2.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，

其中，電源導(dǎo)線和接地導(dǎo)線中的至少一個(gè)以U形排列。

3.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，

其中，電源導(dǎo)線和接地導(dǎo)線中的至少一個(gè)以梳形排列。

4.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，

其中，電源導(dǎo)線和接地導(dǎo)線中的至少一個(gè)以十字形排列。

5.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，

其中，電源導(dǎo)線和接地導(dǎo)線中的至少一個(gè)以Z字形排列。

6.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，其中提供元件形成層和天線以便彼此至少部分重疊。

7.一種半導(dǎo)體裝置，其包括：

元件形成層；和

天線，

其中所述天線以線圈排列，且

所述元件形成層包括：

在基材上提供的半導(dǎo)體薄膜；

在半導(dǎo)體薄膜上提供的柵電極，其中柵絕緣薄膜介于兩者之間；

在柵電極上提供的絕緣薄膜；

在絕緣薄膜上提供的并且連接到半導(dǎo)體薄膜的源極區(qū)或者漏極區(qū)的源極或者漏極；

電連接到源極或者漏極的導(dǎo)線，

其中所述天線電連接到導(dǎo)線，

用作天線的導(dǎo)電薄膜形成在與用于存儲(chǔ)元件的導(dǎo)電薄膜相同的層上，以及

導(dǎo)線以非環(huán)形排列。

8.權(quán)利要求7的半導(dǎo)體裝置，其中導(dǎo)線是電源導(dǎo)線或者接地導(dǎo)線。

9.一種半導(dǎo)體裝置，其包括：

元件形成層；和

天線，

其中所述天線以線圈排列，且

所述元件形成層包括：

在基材上提供的半導(dǎo)體薄膜；

在半導(dǎo)體薄膜上提供的柵電極，其中柵絕緣薄膜介于兩者之間；

在柵電極上提供的絕緣薄膜；

在絕緣薄膜上提供的并且連接到半導(dǎo)體薄膜的源極區(qū)或者漏極區(qū)的源極或者漏極；和

在源極或者漏極上提供的并且電連接到源極或者漏極的導(dǎo)線，

其中提供天線使其至少部分覆蓋半導(dǎo)體薄膜并且電連接到導(dǎo)線，

用作天線的導(dǎo)電薄膜形成在與用于存儲(chǔ)元件的導(dǎo)電薄膜相同的層上，以及

導(dǎo)線以非環(huán)形排列。

10.權(quán)利要求9的半導(dǎo)體裝置，其中導(dǎo)線是電源導(dǎo)線或者接地導(dǎo)線。