[發明專利]用于EUV光譜區域的熱穩定的多層的反射鏡

無效

• 申請號: 200580044832.2
• 申請日: 2005-12-23
• 公開（公告）號: CN101088031A
• 公開（公告）日: 2007-12-12
• 發明（設計）人: N·比諾特;T·費格爾;N·凱瑟;S·尤林
• 申請（專利權）人: 弗勞恩霍弗實用研究促進協會
• 主分類號: G02B5/08
• 分類號: G02B5/08;G02B1/10;G21K1/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 曹若;趙辛

1.一種用于EUV射線的多層的反射鏡，包括多個交替的鉬層(4)及硅層(3)，其特征在于：在相應鉬層(4)與相應相鄰的硅層(3)之間的多個邊界面上設置阻擋層(5)，該阻擋層包括硅硼化合物。

2.根據權利要求1的多層的反射鏡，其特征在于：在相應鉬層(4)與相應硅層(3)之間的全部邊界面上設置阻擋層(5)，該阻擋層包括一種硅硼化合物。

3.用于EUV射線的多層的反射鏡，包括多個交替的鉬層(4)及硅層(3)，其特征在于：在相應鉬層(4)與相應相鄰的硅層(3)之間的多個邊界面上設置阻擋層(5)，該阻擋層包括硅氮化合物。

4.根據權利要求3的多層的反射鏡，其特征在于：在相應鉬層(4)與相應硅層(3)之間的全部邊界面上設置阻擋層(5)，該阻擋層包括硅氮化合物。

5.根據權利要求1或3的多層的反射鏡，其特征在于：在鉬層(4)跟隨在硅層(3)之后--在該邊界面上一個上分別設置阻擋層(5)，該阻擋層包括硅硼化合物或硅氮化合物，并且在生長方向上硅層(3)跟隨在鉬層(4)之后的邊界面上總是不設置阻擋層。

6.根據以上權利要求中一項的多層的反射鏡，其特征在于：所述阻擋層(5)的厚度范圍在0.2nm-0.8nm之間。

7.根據以上權利要求中一項的多層的反射鏡，其特征在于：該多層的反射鏡(1)具有至少一個蓋層(6)，該蓋層不由硅或鉬制成。

8.根據權利要求7的多層的反射鏡，其特征在于：該蓋層(6)包括硅氮化合物或硅硼化合物。

9.根據權利要求7的多層的反射鏡，其特征在于：該蓋層(6)包括氧化合物、硅化合物、氮化合物、碳化合物或硼化合物或至少包括釕、銠、鈧或鋯中的一種。

10.根據以上權利要求中一項的多層的反射鏡，其特征在于：該多層的反射鏡(23)被設置在基體(24)的彎曲的表面上。

11.根據權利要求10的多層的反射鏡，其特征在于：該基體(24)的表面非球形地彎曲。

12.根據以上權利要求中一項的多層的反射鏡，其特征在于：設有加熱裝置(27)，用于將該多層的反射鏡(23)加熱到300℃或更高、優選400℃或更高的工作溫度。

13.根據權利要求12的多層的反射鏡，其特征在于：該多層的反射鏡(23)被設置在基體(24)上，所述加熱裝置(27)也被設置在該基體上。

14.根據以上權利要求中一項的多層的反射鏡，其特征在于：該多層的反射鏡(23)是EUV輻射源(25)的集光鏡。

15.根據以上權利要求1-14中一項的多層的反射鏡的應用，用于在工作溫度為從300℃-500℃的情況下反射EUV射線。