[發(fā)明專利]抗蝕劑保護膜形成用材料及使用該材料的抗蝕劑圖案形成方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200580044399.2 | 申請日: | 2005-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN101088047A | 公開(公告)日: | 2007-12-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 石塚啟太;遠藤浩太朗 | 申請(專利權)人: | 東京應化工業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | G03F7/11 | 分類號: | G03F7/11;H01L21/027;C08F220/22 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 | 代理人: | 楊宏軍 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 抗蝕劑 保護膜 形成 用材 料及 使用 材料 圖案 方法 | ||
1、一種抗蝕劑保護膜形成用材料,所述抗蝕劑保護膜形成用材料用于形成抗蝕劑膜的上層保護膜、含有可溶于堿的聚合物成分,其特征在于,所述聚合物成分與水的接觸角為90°以上。
2、如權利要求1所述的抗蝕劑保護膜形成用材料,其特征在于,所述抗蝕劑膜是用于液浸曝光處理的抗蝕劑膜。
3、如權利要求1所述的抗蝕劑保護膜形成用材料,其特征在于,所述聚合物成分為丙烯酸類聚合物。
4、如權利要求3所述的抗蝕劑保護膜形成用材料,其特征在于,所述丙烯酸類聚合物至少含有(甲基)丙烯酸構成單元與下述通式(1)表示的丙烯酸酯構成單元,
式中,R’表示氫原子、甲基或碳原子數為1~4的羥基烷基,Rm表示碳原子數為1~5的直鏈狀或支鏈狀的亞烷基,Rf表示氫原子或碳原子數為1~15的烷基,該烷基的部分或全部氫原子可以被氟原子取代。
5、如權利要求4所述的抗蝕劑保護膜形成用材料,其特征在于,所述丙烯酸類聚合物是在所述(甲基)丙烯酸構成單元與所述通式(1)表示的構成單元上加成作為第三構成單元的下述通式(2)表示的至少1種丙烯酸酯構成單元而形成的,
式中,R為氫原子或甲基,R”是碳原子數為4~15的脂環(huán)式烴基。
6、如權利要求5所述的抗蝕劑保護膜形成用材料,其特征在于,所述通式(2)中,R”由具有R”a或R”b的至少2種構成單元構成,所述R”a為多環(huán)式烴基,R”b為單環(huán)式烴基。
7、如權利要求6所述的抗蝕劑保護膜形成用材料,其特征在于,所述多環(huán)式烴基為選自二環(huán)戊基、金剛烷基、降冰片烷基、異冰片基、三環(huán)癸基及四環(huán)十二烷基中的至少1種烴基。
8、如權利要求6所述的抗蝕劑保護膜形成用材料,其特征在于,所述單環(huán)式烴基為選自環(huán)己基、環(huán)戊基及環(huán)庚基中的至少1種烴基。
9、如權利要求5所述的抗蝕劑保護膜形成用材料,其特征在于,所述丙烯酸類聚合物是在所述(甲基)丙烯酸構成單元與所述通式(1)表示的構成單元與所述通式(2)表示的構成單元上加成作為第四構成單元的下述通式(3)表示的至少1種丙烯酸酯構成單元而形成的,
式中,R為鏈式烴基。
10、如權利要求9所述的抗蝕劑保護膜形成用材料,其特征在于,所述鏈式烴基為選自正丁基、正戊基、2-乙基己基及正己基中的至少1種烴基。
11、如權利要求3所述的抗蝕劑保護膜形成用材料,其特征在于,所述丙烯酸類聚合物用下述通式(4)表示,
式中,q、r、s、t及u表示各構成單元的含有摩爾%,分別為2~60摩爾%。
12、如權利要求1所述的抗蝕劑保護膜形成用材料,其特征在于,所述抗蝕劑保護膜形成用材料還含有溶劑。
13、如權利要求12所述的抗蝕劑保護膜形成用材料,其特征在于,所述溶劑為醇類溶劑。
14、如權利要求1所述的抗蝕劑保護膜形成用材料,其特征在于,所述抗蝕劑保護膜形成用材料還含有交聯(lián)劑。
15、如權利要求14所述的抗蝕劑保護膜形成用材料,其特征在于,所述交聯(lián)劑為被羥烷基及/或烷氧基烷基取代的具有氨基及/或亞氨基的含氮化合物。
16、如權利要求1所述的抗蝕劑保護膜形成用材料,其特征在于,所述抗蝕劑保護膜形成用材料還含有酸性成分。
17、如權利要求16所述的抗蝕劑保護膜形成用材料,其特征在于,所述酸性成分為碳氟化合物。
18、如權利要求2所述的抗蝕劑保護膜形成用材料,其特征在于,所述液浸曝光處理在使光刻曝光光到達抗蝕劑膜為止的通過路徑的至少所述抗蝕劑膜上存在折射率比空氣高且折射率比所述抗蝕劑膜低的規(guī)定厚度的液浸曝光用液體的狀態(tài)下,曝光所述抗蝕劑膜,使抗蝕劑圖案的析像度提高。
19、一種抗蝕劑圖案形成方法,其中,所述方法使用液浸曝光處理,所述方法包括下述步驟:
在基板上形成抗蝕劑膜,
在所述抗蝕劑膜上使用權利要求1所述的抗蝕劑保護膜形成用材料形成保護膜,
在層疊有所述抗蝕劑膜與所述保護膜的所述基板的至少所述保護膜上直接配置規(guī)定厚度的所述液浸曝光用液體,
間隔所述液浸曝光用液體與所述保護膜選擇性地對所述抗蝕劑膜照射光,根據需要進行加熱處理,
通過使用堿顯影液顯影處理所述保護膜與所述抗蝕劑膜,除去所述保護膜,同時得到抗蝕劑圖案。
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