[發明專利]平衡型SAW濾波器有效
| 申請號: | 200580044368.7 | 申請日: | 2005-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN101088217A | 公開(公告)日: | 2007-12-12 |
| 發明(設計)人: | 高峰裕一 | 申請(專利權)人: | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號: | H03H9/64 | 分類號: | H03H9/64;H03H9/145 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 李香蘭 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 平衡 saw 濾波器 | ||
技術領域
本發明涉及具有平衡-不平衡變換功能的平衡型SAW濾波器,更詳細地說,涉及使用具有5個IDT的IDT型縱耦合諧振子型聲表面波濾波器而構成的平衡型SAW濾波器。
背景技術
在便攜式電話機等移動體通信機器的RF段,作為帶域濾波器較廣地使用聲表面波濾波器。近年來,在這種聲表面波濾波器中,要求平衡-不平衡變換功能,即所謂的平衡的功能。因此,在最近,為了能夠與高頻率化對應且容易地起到平衡-不平衡變換功能,而將縱耦合諧振子型聲表面波濾波器作為RF段的帶域濾波器而使用。
在下述的專利文獻1中,公開了具有平衡-不平衡變換功能的縱耦合諧振子型濾波器。圖13是表示專利文獻1中所公開的聲表面波濾波器的電極構造的示意性俯視圖。在聲表面波濾波器101中,沿著表面波傳播方向配置5個IDT102~106。在設有IDT102~106的區域的表面波傳播方向兩側配置反射器107、108。
IDT103、105被共通地連接,并通過1端子型聲表面波諧振子109連接于不平衡端子111。另一方面,位于中央的IDT104,在表面波傳播方向上被二分割,具有第1、第2分割IDT部104a、104b。IDT102和分割部104a共通地連接,并且連接在第1平衡端子112。分割IDT部104b和IDT106共通地連接并連接在第2平衡端子113。
通過將5個IDT102~106以上述那樣連接,能夠實現平衡-不平衡變換功能。在這種5IDT型縱耦合諧振子型聲表面波濾波器101中,具有如下有利點:即能夠減小通過帶域內的插入損失,并能夠容易地對終端阻抗進行調整,并能夠進一步小型化。另外,連接于不平衡端子111的IDT電極103、105的電極指的總根數,比連接于平衡端子112的電極指的總根數即IDT102和分割IDT部104a的電極指的總根數,或連接于平衡端子113的電極指的總根數即IDT106和分割IDT部104b的電極指的總根數少。因此,能夠使平衡端子112、113的阻抗成為不平衡端子111的阻抗的2~4倍。
專利文獻1:特開2004-96244號公報
然而,在5IDT型的聲表面波濾波器101中,存在如下問題:即出于設計參數的原因,而在通過帶域內產生不希望的波動。
發明內容
本發明的目的在于,提供一種平衡型SAW濾波器,其是一種解決了上述以往技術的缺點,并具有平衡-不平衡變換功能的5IDT型縱耦合諧振子型平衡型SAW濾波器,并抑制了通過帶域內的波動。
按照本發明某一較廣的發明,提供一種平衡型SAW濾波器,是備有不平衡端子和第1、第2平衡端子且具有平衡-不平衡變換功能的平衡型SAW濾波器,其特征在于,備有:壓電基板;形成于所述壓電基板上且沿表面波傳播方向而配置的第1~第5IDT,第2、第4IDT與所述不平衡端子連接,并且,第2、第4IDT的相位相差180°,所述第3IDT,具有在表面波傳輸方向上分割而配置的第1分割IDT部和第2分割IDT部,并且所述第1分割IDT部和所述第1IDT連接在所述第1平衡端子,所述第2分割IDT部和所述第5IDT連接在所述第2平衡端子,所述第1~第5IDT,具有電極指間距比中央的電極指間距更窄的窄間距電極指部;所述第1IDT在與第2IDT相鄰的部分具有窄間距電極指部;所述第2IDT在與第1IDT相鄰的部分及與第3IDT相鄰的部分分別具有窄間距電極指部;所述第3IDT在與第2IDT相鄰的部分及與第4IDT相鄰的部分分別具有窄間距電極指部;所述第4IDT在與第3IDT相鄰的部分及與第5IDT相鄰的部分分別具有窄間距電極指部;所述第5IDT在與第4IDT相鄰的部分具有窄間距電極指部,
所述第1及第5IDT中的窄間距電極指部的電極指的根數、間距是相同的,
所述第2IDT的與第1IDT相鄰的部分所設置的窄間距電極指部的電極指的根數、間距與所述第4IDT的與第5IDT相鄰的部分所設置的窄間距電極指部的電極指的根數、間距相同,
所述第2IDT的與第3IDT相鄰的部分所設置的窄間距電極指部的電極指的根數、間距與所述第4IDT的與第3IDT相鄰的部分所設置的窄間距電極指部的電極指的根數、間距相同,在所述第1及第5IDT中的窄間距電極指部的根數多于第3IDT的窄間距電極指部的根數的情況下,第1及第5IDT中的窄間距電極指部的間距大于第3IDT的窄間距電極指部的間距,
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