[發(fā)明專(zhuān)利]高壓開(kāi)關(guān)設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200580044105.6 | 申請(qǐng)日: | 2005-12-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101084564A | 公開(kāi)(公告)日: | 2007-12-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | T·貝茨;C·格拉納塔;I·格納納德翰塔帕尼 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | ABB技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01H33/12 | 分類(lèi)號(hào): | H01H33/12;H02B13/035 |
| 代理公司: | 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 盧江;魏軍 |
| 地址: | 瑞士*** | 國(guó)省代碼: | 瑞士;CH |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 高壓 開(kāi)關(guān)設(shè)備 | ||
本發(fā)明涉及一種氣體絕緣的高壓開(kāi)關(guān)設(shè)備。此外,本發(fā)明涉及用 于根據(jù)本發(fā)明的氣體絕緣的高壓開(kāi)關(guān)設(shè)備的模塊。
一般已知的是,具有超過(guò)200kV的額定電壓的氣體絕緣的高壓開(kāi) 關(guān)設(shè)備通常被設(shè)計(jì)為單相封裝的系統(tǒng)。在此,諸如功率開(kāi)關(guān)、隔離開(kāi) 關(guān)和接地開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)設(shè)備以及諸如架空線連接的另外的部件被單相地 實(shí)施并且被布置在分離的殼體中。
匯流排的三個(gè)相導(dǎo)體也被布置在分離的、通常為管狀的殼體中。 然而基于這種結(jié)構(gòu)形式產(chǎn)生比較高的空間需求。
本發(fā)明所基于的任務(wù)在于,說(shuō)明一種具有降低的空間需求的高壓 開(kāi)關(guān)設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明,該任務(wù)通過(guò)具有在權(quán)利要求1中所提及的特征的高 壓開(kāi)關(guān)設(shè)備來(lái)解決。
根據(jù)本發(fā)明的氣體絕緣的高壓開(kāi)關(guān)設(shè)備包括至少一個(gè)具有三個(gè)相 導(dǎo)體的匯流排,其中每個(gè)相導(dǎo)體都與被分配給它的匯流排隔離開(kāi)關(guān)的 輸入端相連接。在此,相導(dǎo)體和匯流排隔離開(kāi)關(guān)被布置在共同的三相 匯流排模塊中。根據(jù)本發(fā)明的高壓開(kāi)關(guān)設(shè)備此外包括三個(gè)單相功率開(kāi) 關(guān),這三個(gè)單相功率開(kāi)關(guān)分別被布置在分離的功率開(kāi)關(guān)殼體中。在此, 每個(gè)匯流排隔離開(kāi)關(guān)在輸出側(cè)與各一個(gè)被分配給它的功率開(kāi)關(guān)相連 接。
通過(guò)匯流排的三個(gè)相導(dǎo)體和所屬的匯流排隔離開(kāi)關(guān)被布置在共同 的殼體中的這種布置,該高壓開(kāi)關(guān)設(shè)備的空間需求相對(duì)于傳統(tǒng)的高壓 開(kāi)關(guān)設(shè)備被有利地降低。
該任務(wù)也通過(guò)具有在權(quán)利要求7中所提及的特征的匯流排模塊來(lái) 解決。
據(jù)此,根據(jù)本發(fā)明的匯流排模塊具有三個(gè)單相接口,這三個(gè)單相 接口分別被分配給一個(gè)匯流排隔離開(kāi)關(guān),其中在所述匯流排模塊中布 置有匯流排的三個(gè)相導(dǎo)體和三個(gè)匯流排隔離開(kāi)關(guān),并且其中每個(gè)相導(dǎo) 體都與被分配給它的匯流排隔離開(kāi)關(guān)的輸入端相連接。
這種匯流排模塊允許三個(gè)單極功率開(kāi)關(guān)的直接的并且因此比較簡(jiǎn) 單的連接。附加的模塊的插入不是必要的。高壓開(kāi)關(guān)設(shè)備的構(gòu)造被簡(jiǎn) 化,并且該實(shí)施方案是特別節(jié)省空間的。
該任務(wù)也通過(guò)具有在權(quán)利要求9中所提及的特征的分配模塊 (Aufteilmodu1)來(lái)解決。
根據(jù)本發(fā)明的分配模塊具有至少一個(gè)三相接口和三個(gè)單相接口。 在該分配模塊內(nèi),三個(gè)相導(dǎo)體從三相接口分別被引向單相接口。
這種分配模塊允許具有三相接口的匯流排模塊連接到三個(gè)單相功 率開(kāi)關(guān)上。具有三相接口的匯流排模塊對(duì)于具有低的、特別是從100kV 至200kV的額定電壓的開(kāi)關(guān)設(shè)備來(lái)說(shuō)是已知的。有利的是,已知的匯 流排模塊可以借助分配模塊被用于根據(jù)本發(fā)明的高壓開(kāi)關(guān)設(shè)備中。
另外,這種分配模塊允許將三個(gè)單相功率開(kāi)關(guān)連接到一個(gè)三相輸 出單元上。
本發(fā)明的另外的有利的擴(kuò)展方案可以由從屬權(quán)利要求獲悉。
借助示出了本發(fā)明的實(shí)施例的附圖,進(jìn)一步闡述和描述本發(fā)明、 本發(fā)明的有利的擴(kuò)展方案和改進(jìn)方案以及另外的優(yōu)點(diǎn)。
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的開(kāi)關(guān)設(shè)備的第一輸出饋電板 (Abgangsfeld)的電路圖,
圖2示出根據(jù)本發(fā)明的開(kāi)關(guān)設(shè)備的第二輸出饋電板的電路圖,
圖3示出用于連接到兩個(gè)匯流排上的分配模塊,
圖4示出用于連接到輸出單元上的分配模塊,以及
圖5示出根據(jù)本發(fā)明的開(kāi)關(guān)設(shè)備的第三輸出饋電板的電路圖。
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的三相開(kāi)關(guān)設(shè)備的第一三相輸出饋電板60的 電路圖。該開(kāi)關(guān)設(shè)備是針對(duì)大約200kV至250kV的額定電壓來(lái)設(shè)計(jì)的. 然而,在更低的、例如100kV至200kV的額定電壓時(shí)或者在更高的、 例如250kV至400kV的額定電壓時(shí)使用也在本發(fā)明思想的范圍內(nèi)。
所示出的開(kāi)關(guān)設(shè)備被實(shí)施為金屬封裝的、氣體絕緣的高壓開(kāi)關(guān)設(shè) 備。六氟化硫(SF6)被用作絕緣氣體。替代地,氮(N2)或者二氧化 碳(C02)也可被用作絕緣氣體。
開(kāi)關(guān)設(shè)備包括具有三個(gè)相導(dǎo)體L1、L2、L3的匯流排。這三個(gè)相導(dǎo) 體L1、L2、L3在第一輸出饋電板60的范圍內(nèi)在第一匯流排模塊40內(nèi) 被引導(dǎo),并且進(jìn)一步被引向這里未被示出的相鄰饋電板的匯流排模 塊。
第一匯流排模塊40的殼體被構(gòu)造為圓柱形,其中匯流排的相導(dǎo)體 L1、L2、L3與第一匯流排模塊40的殼體的中軸平行地被引導(dǎo)。
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H01H33-60 .不包括單獨(dú)為產(chǎn)生或增強(qiáng)滅弧流體流動(dòng)裝置的開(kāi)關(guān)滅弧或防弧裝置的開(kāi)關(guān)
H01H33-70 .帶有單獨(dú)的控制、產(chǎn)生,或增強(qiáng)滅弧流裝置的開(kāi)關(guān)
H01H33-72 ..帶控制滅弧流的靜止部件的,如帶有滅弧室
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